[發明專利]降低漏電流的電平轉換器無效
| 申請號: | 200910147610.3 | 申請日: | 2009-06-09 |
| 公開(公告)號: | CN101674020A | 公開(公告)日: | 2010-03-17 |
| 發明(設計)人: | 房敬良;吳宜璋 | 申請(專利權)人: | 雷凌科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H02M3/335 | 分類號: | H02M3/335 |
| 代理公司: | 北京戈程知識產權代理有限公司 | 代理人: | 程 偉;王錦陽 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 降低 漏電 電平 轉換器 | ||
1、一種具有改進的電平轉換電路的裝置,用以最小化漏電流,該裝置包含:
切換晶體管,其可切換電流至與之配置的電平轉換次電路;以及
耦合電路的低電壓域;
其中當該耦合電路的該低電壓域不穩定時,關閉該切換晶體管,且當該耦合電路的該低電壓域穩定時,導通該切換晶體管。
2、根據權利要求1所述的裝置,其中該切換晶體管用以導通或關閉至該電平轉換次電路的電流。
3、根據權利要求1所述的裝置,其中該切換晶體管為P通道金氧半場效晶體管。
4、根據權利要求1所述的裝置,其中該切換晶體管為N通道金氧半場效晶體管。
5、根據權利要求1所述的裝置,其中該切換晶體管為P通道場效晶體管、N通道場效晶體管,或者為場效晶體管形式的晶體管的其中之一。
6、根據權利要求1所述的裝置,其中該切換晶體管用以與該電平轉換次電路排列以導通或關閉至該電平轉換次電路的電流。
7、根據權利要求1所述的裝置,其中該切換晶體管進一步提供從一個至多個電壓源隔離該電平轉換次電路的功能。
8、根據權利要求1所述的裝置,其中該電平轉換次電路包含:
輸入單元,用以接收在第一電壓源和第二電壓源之間變化的第一信號;以及
電平轉換單元,用以將該在該第一電壓源和該第二電壓源之間變化的第一信號轉換至在該第一電壓源和第三電壓源之間變化的電平轉換信號,該電平轉換單元包含:
第一導通形式的第一晶體管,具有源電極,其耦接至該第一電壓源;及
第一導通形式的第二晶體管,具有源電極,其耦接至該第一電壓源。
9、根據權利要求8所述的裝置,其中當該切換晶體管為設定為高阻抗設定的PMOS晶體管時,該切換晶體管為截止;當該切換晶體管為設定為高阻抗設定的NMOS晶體管時,該切換晶體管為截止。
10、一種改進的電平轉換電路,用以最小化漏電流,該電平轉換電路包含:
切換晶體管,其可切換電流至與之電性耦合和交流的電平轉換電路;以及
切換手段,用以在該耦合電路的低電壓域不穩定時,關閉該切換晶體管,且當該耦合電路的該低電壓域穩定時,導通該切換晶體管。
11、根據權利要求10所述的電路,其中該切換晶體管用以導通或關閉至該電平轉換電路的電流。
12、根據權利要求10所述的電路,其中該切換晶體管為P通道金氧半場效晶體管。
13、根據權利要求10所述的電路,其中該切換晶體管為N通道金氧半場效晶體管。
14、根據權利要求10所述的電路,其中該切換晶體管為P通道場效晶體管、N通道場效晶體管,或者為場效晶體管形式的晶體管的其中之一。
15、根據權利要求10所述的電路,其中該切換晶體管用以與該電平轉換電路排列以導通或關閉至該電平轉換電路的電流。
16、根據權利要求10所述的電路,其中該切換晶體管進一步提供從一個至多個電壓源隔離該電平轉換電路的功能。
17、根據權利要求10所述的電路,其中該電平轉換電路包含:
輸入單元,用以接收在第一電壓源和一第二電壓源之間變化的第一信號;以及
電平轉換單元,用以將該在該第一電壓源和該第二電壓源之間變化的第一信號轉換至在該第一電壓源和第三電壓源之間變化的電平轉換信號,該電平轉換單元包含:
第一導通形式的第一晶體管,具有源電極,其耦接至該第一電壓源;及
第一導通形式的第二晶體管,具有源電極,其耦接至該第一電壓源。
18、根據權利要求17所述的電路,其中當該切換晶體管為設定為高阻抗設定的PMOS晶體管時,該切換晶體管為截止;當該切換晶體管為設定為高阻抗設定的NMOS晶體管時,該切換晶體管為截止。
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