[發明專利]一種低頻高介電抗還原瓷料及其制備方法

有效

• 申請號: 200910147599.0
• 申請日: 2009-06-10
• 公開（公告）號: CN101580389A
• 公開（公告）日: 2009-11-18
• 發明（設計）人: 任海東;宋永生;李娟
• 申請（專利權）人: 廣東風華高新科技股份有限公司
• 主分類號: C04B35/49
• 分類號: C04B35/49;C04B35/622;H01B3/12
• 代理公司: 廣州粵高專利商標代理有限公司
• 代理人: 羅曉林

1.一種低頻高介電抗還原瓷料，由主晶相和改性添加物組成，其結構 式為(1-a)(Ba_1-xCa_x)_A(Ti_1-yZr_y)_BO₃}.aR_ZO_T，其中(Ba_1-xCa_x)_A(Ti_1-yZr_y)_BO₃為主晶相的結構式，aR_ZO_T代表改性添加物，其中T/Z為1～2.5；按摩爾 份計，所述的主晶相為93～98％，其中A/B＝1.01、x＝0.08、y＝0.15，所述 的改性添加物是2～7％，即a的取值是2～7％；

所述的改性添加物是I類普通氧化物和/或II類三價稀土氧化物；

所述的I類普通氧化物是MnO、MgO、Nb₂O₅、ZnO、SiO₂、Al₂O₃中的一 種或幾種；

所述的II類三價稀土氧化物是Y₂O₃、Dy₂O₃、Er₂O₃、Ho₂O₃中的一種或幾 種。

2.根據權利要求1所述的低頻高介電抗還原瓷料，其特征在于：按摩 爾份計，所述的改性添加物在整個抗還原瓷料中的組成是MnO?0.1～ 1.5mol％、MgO?0～0.5mol％、Nb₂O₅?0～1.5mol％、ZnO?0～1.0mol％、SiO₂0.1～2mol％、Al₂O₃?0～1.5mol％、Y₂O₃?0.05～1.5mol％、Dy₂O₃?0～2.0 mol％、Er₂O₃?0～1.0mol％、Ho₂O₃?0～0.5mol％。

3.一種制備權利要求1或2所述陶瓷介質材料的方法，包括主晶相制 備、改性物質的氧化處理和主晶相與改性物的混合處理，其特征在于：

所述主晶相制備包括一次煅燒處理，煅燒溫度為1000～1100℃，煅燒 保溫時間分別為2～4小時；

所述主晶相與改性物的混合處理包括二次煅燒處理，煅燒溫度1050～ 1200℃，煅燒保溫時間是2～4小時。