[發明專利]光刻設備

有效

• 申請號: 200910147536.5
• 申請日: 2009-06-18
• 公開（公告）號: CN101609267A
• 公開（公告）日: 2009-12-23
• 發明（設計）人: V·普若斯耶特佐夫;S·拉爾巴哈朵爾辛;S·穆薩;李賢宇
• 申請（專利權）人: ASML荷蘭有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 王新華

1.一種浸沒式光刻設備的襯底平臺，所述浸沒式光刻設備被設置以將 圖案化的輻射束從圖案形成裝置投影到襯底上，所述襯底平臺被構造以保 持所述襯底并且包括用于感測所述圖案化的輻射束的至少一個傳感器，所 述傳感器包括具有面對入射的輻射束的前側和與所述前側相對的后側的至 少部分透射層，其中，所述后側設置有至少一個傳感器標記，所述傳感器 標記經受透射穿過所述層的輻射束。

2.根據權利要求1所述的襯底平臺，其中，所述透射層至少包括第一 層和第二層。

3.根據前述權利要求中的任一項所述的襯底平臺，其中，所述傳感器 標記至少部分地設置在所述透射層的后側中。

4.根據權利要求1或2所述的襯底平臺，其中，所述透射層的后側設 置有不透射層。

5.根據權利要求4所述的襯底平臺，其中，所述傳感器標記至少部分 地設置在所述不透射層中。

6.根據權利要求1或2所述的襯底平臺，其中，所述透射層被配置用 于基本上包括所投影的圖案的整個空間圖像。

7.根據權利要求1或2所述的襯底平臺，其中，所述透射層的前側設 置有被配置以排斥浸沒液體的涂層。

8.根據權利要求7所述的襯底平臺，其中，所述涂層是疏水涂層。

9.根據權利要求7所述的襯底平臺，其中，所述涂層具有約1.3-1.8的 折射率，所述涂層還具有在0.1至1.5微米之間的厚度。

10.根據權利要求9所述的襯底平臺，其中，所述折射率在1.4至1.6 之間。

11.根據權利要求9所述的襯底平臺，其中，所述厚度為約0.5微米。

12.根據權利要求1或2所述的襯底平臺，其中，所述透射層的折射率 基本上與浸沒流體的折射率相同。

13.根據權利要求1或2所述的襯底平臺，其中，所述透射層是透射板 并且所述標記包括光柵。

14.根據權利要求1或2所述的襯底平臺，其中，所述透射層包括親水 材料。

15.根據權利要求1或2所述的襯底平臺，其中，所述透射層具有0.01 至5微米之間的厚度。

16.根據權利要求15所述的襯底平臺，其中，所述厚度在1至3微米 之間。

17.根據權利要求1或2所述的襯底平臺，其中，所述透射層的折射率 在1.3至1.8之間。

18.根據權利要求17所述的襯底平臺，其中，所述透射層的折射率在 1.4至1.6之間。

19.包括如前述權利要求中的任一項所述的襯底平臺的光刻設備，所述 設備進一步包括：

投影系統，配置以將圖案化的輻射束從圖案形成裝置投影到襯底上，

浸沒液體系統，用于提供介于所述圖案形成裝置和所述襯底之間的浸 沒液體。