[發明專利]撓性膜自載板上脫離的方法及可撓式電子裝置的制造方法

有效

• 申請號: 200910146998.5
• 申請日: 2009-06-09
• 公開（公告）號: CN101924067A
• 公開（公告）日: 2010-12-22
• 發明（設計）人: 陳東森;魏小芬;江良佑;張悠揚
• 申請（專利權）人: 財團法人工業技術研究院
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78;H01L21/50;H01L21/02
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種撓性膜自載板上脫離的方法，包含：

提供載板，其中該載板具有上表面；

對該載板的上表面進行表面處理，以形成具有防粘特性的上表面；

在該載板具有防粘特性的上表面上形成撓性膜；以及

對形成于該載板上的該撓性膜進行切割脫離。

2.如權利要求1所述的撓性膜自載板上脫離的方法，其中該載板包含金屬基板、塑料基板、陶瓷基板、玻璃或硅晶圓。

3.如權利要求1所述的撓性膜自載板上脫離的方法，其中該載板的上表面經該表面處理后，其上能與撓性膜產生鍵結的官能團被消耗、覆蓋或置換。

4.如權利要求3所述的撓性膜自載板上脫離的方法，其中該能與撓性膜產生鍵結的官能團包含羥基、羧基、胺基、或酯基。

5.如權利要求3所述的撓性膜自載板上脫離的方法，該載板上表面的官能團與撓性膜產生的鍵結包含離子鍵、共價鍵、或氫鍵。

6.如權利要求第1所述的撓性膜自載板上脫離的方法，其中該表面處理包括：

提供化學試劑與該載板的上表面進行反應。

7.如權利要求6所述的撓性膜自載板上脫離的方法，其中該化學試劑具有以下結構：

其中，w為C、Si、或Ge；X為S、或Se；Y為C或S；

R₁、R₂、及R₃各自獨立地為氫、烴基、烷基、-OR或其結合，其中R為碳數介于1～18的烷基；

R₄為F、Cl、Br、I、羧基、胺基、氨基、氰基、酰胺基、鹵代烷基或其組合；

R₅為Li；以及

R₆、R₇、及R₈各自獨立地為F、Cl、Br、I、烴基、烷基、羧基、胺基、酰胺基、鹵代烷基、或其組合。

8.如權利要求6所述的撓性膜自載板上脫離的方法，其中該化學試劑包含：二甲基氯硅烷、三甲基氯硅烷、三甲基氯甲烷、1-氯甲基-1-三甲基硅烷、2-溴丙烷、二甲基二氯硅烷、三甲基氟硅烷、三甲基溴硅烷、三甲基碘硅烷、三甲基氰硅烷、亞硫酰氯、三乙基氯硅烷、二異丙基氨基鋰、三氯化磷、硫酰氯、叔丁基氯二甲基硅烷、或其混合。

9.如權利要求6所述的撓性膜自載板上脫離的方法，其中該化學試劑以浸泡技術、旋轉涂布技術、壓印技術、刮印技術、或輥涂技術形成于該載板的上表面。

10.如權利要求1所述的撓性膜自載板上脫離的方法，其中該撓性膜包含：聚酰亞胺、聚碳酸酯、聚醚砜、聚降冰片烯、聚醚酰亞胺、聚萘二甲酸乙二醇酯或聚對苯二甲酸乙二醇酯。

11.如權利要求1所述的撓性膜自載板上脫離的方法，在該載板的上表面上形成該撓性膜之前，還包含在該載板上形成功能膜，其中該功能膜包含：應力緩和膜、抗刮膜、抗反射膜、阻氣膜或其組合。

12.如權利要求1所述的撓性膜自載板上脫離的方法，其中該撓性膜是以濕式涂布或蒸鍍方式形成于該載板的上表面上的。

13.如權利要求1所述的撓性膜自載板上脫離的方法，其中該表面處理包含：等離子體處理、離子束轟擊、電子轟擊、蝕刻處理、摩擦處理或其組合。

14.一種撓性膜自載板上脫離的方法，包含：

提供載板，其中該載板具有上表面；

對該載板的上表面進行表面處理，以形成具有防粘特性的上表面；

在該載板具有防粘特性的上表面上貼附預先形成的撓性膜；以及

對形成于該載板上的該撓性膜進行切割脫離。

15.如權利要求14所述的撓性膜自載板上脫離的方法，其中該載板包含金屬基板、塑料基板、陶瓷基板、玻璃或硅晶圓。

16.如權利要求14所述的撓性膜自載板上脫離的方法，其中該載板的上表面經該表面處理后，其上能與撓性膜產生鍵結的官能團被消耗、覆蓋或置換。

17.如權利要求16所述的撓性膜自載板上脫離的方法，其中該能與撓性膜產生鍵結的官能團包含羥基、羧基、胺基、或酯基。