[發(fā)明專利]具有圓齒狀側壁的穿透硅通孔

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910146989.6
• 申請日: 2009-06-05
• 公開（公告）號: CN101771020A
• 公開（公告）日: 2010-07-07
• 發(fā)明（設計）人: 郭正錚;陳志華;陳明發(fā);陳承先
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/522
• 分類號: H01L23/522;H01L21/768
• 代理公司: 北京市德恒律師事務所 11306
• 代理人: 梁永;馬鐵良

1.一種半導體器件，包括：

襯底；

覆蓋該襯底的一個或多個電介質層；以及

延伸穿過該襯底的穿透硅通孔，該穿透硅通孔具有圓齒狀表面的側壁，沿 著該側壁的圓齒具有大于0.01μm的深度，在所述具有圓齒狀表面的側壁上形 成有阻擋層和/或種子層。

2.如權利要求1的半導體器件，其中從該襯底的器件側延伸到該襯底的背 面的該穿透硅通孔是變窄的。

3.如權利要求1的半導體器件，其中從該襯底的背面延伸到該襯底的器 件側的該穿透硅通孔是變窄的。

4.如權利要求3的半導體器件，其中該穿透硅通孔與形成在該襯底上的 電子電路直接接觸。

5.如權利要求3的半導體器件，其中該穿透硅通孔與金屬層直接接觸。

6.如權利要求3的半導體器件，其中該穿透硅通孔終止在該襯底和該一 個或多個電介質層之間的界面處。

7.如權利要求1的半導體器件，其中該側壁相對于該襯底的垂直表面傾 斜大于0.5度的角度。

8.一種形成半導體器件的方法，該方法包括：

提供襯底；

在該襯底上形成電子電路；

在該襯底上形成一個或多個電介質層；

在該一個或多個電介質層中形成一個或多個金屬線；以及

形成從該襯底的第一側延伸到該襯底的第二側的穿透硅通孔，該穿透硅通 孔具有圓齒狀表面的側壁，該形成過程是通過重復地實施各向同性蝕刻以形成 凹槽并沿著該凹槽的側壁形成保護襯里來至少部分地實施，該圓齒狀表面具有 大于0.01μm的深度的圓齒，其中該穿透硅通孔的形成過程進一步包括：

移除該保護襯里；

沿著該側壁形成阻擋層；以及

用導電材料填充該凹槽。

9.如權利要求8的方法，其中該保護襯里包括聚合物。

10.如權利要求8的方法，其中該第一側是該襯底的電路側。

11.如權利要求8的方法，其中通過蝕刻穿過該一個或多個電介質層并隨 后蝕刻部分地穿過該襯底而實施該穿透硅通孔的形成過程。

12.如權利要求8的方法，進一步包括減薄該襯底的背面以使該穿透硅通 孔從該襯底的該背面突出。

13.如權利要求8的方法，其中利用柵電極、金屬線或者硅化物區(qū)域作為 蝕刻終止的至少一個蝕刻工藝實施該穿透硅通孔的形成過程。

14.一種半導體器件，包括：

襯底；

覆蓋該襯底的一個或多個電介質層；以及

延伸穿過該襯底的穿透硅通孔，該穿透硅通孔具有多個圓齒狀區(qū)域，使得 當該穿透硅通孔從該襯底的第一側延伸到該襯底的第二側時，各個圓齒狀區(qū)域 中的穿透硅通孔的寬度小于前一圓齒狀區(qū)域中的穿透硅通孔的寬度，在所述圓 齒狀區(qū)域上形成有阻擋層和/或種子層。