[發(fā)明專利]覆晶式氮化鎵發(fā)光二極管的制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910146757.0
• 申請日: 2009-07-01
• 公開（公告）號: CN101937950A
• 公開（公告）日: 2011-01-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 呂聯(lián)祥
• 申請（專利權(quán)）人: 呂聯(lián)祥
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L21/782
• 代理公司: 北京科龍寰宇知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11139
• 代理人: 孫皓晨

1.一種覆晶式氮化鎵發(fā)光二極管的制造方法，其制造步驟包括有：

(A)提供一氮化鎵系發(fā)光二極管磊晶層的晶圓；

(B)在磊晶層預(yù)設(shè)位置蝕刻形成有致使基板露出部分的第一溝槽；

(C)在第一溝槽鄰近與外側(cè)分別蝕刻形成有致使N型氮化鎵歐姆接觸層部分露出的復(fù)數(shù)第二溝槽；

(D)在磊晶層表面形成有透光導(dǎo)電層；

(E)在部分透光導(dǎo)電層表面分別加工而形成P型電極襯墊以及N型電極襯墊；

(F)在P型電極襯墊、N型電極襯墊、第一溝槽以及第二溝槽加工而形成有第一絕緣保護層；

(G)鄰近P型電極襯墊且相對透光導(dǎo)電層的一側(cè)表面加工而形成有金屬反射層；

(H)在第一絕緣保護層以及金屬反射層表面加工而形成有第二絕緣保護層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的覆晶式氮化鎵發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于：所述的第二絕緣保護層形成后便通過研磨、劃線、崩裂以及晶粒光電特性篩選形成分離獨立的氮化鎵系發(fā)光二極管晶粒。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的覆晶式氮化鎵發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于：所述的分離獨立的氮化鎵系發(fā)光二極管為覆晶在具導(dǎo)電膠體的導(dǎo)熱基板。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的覆晶式氮化鎵發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于：所述的覆晶發(fā)光二極管的P型電極襯墊以及N型電極襯墊，是通過導(dǎo)電膠體固設(shè)在導(dǎo)熱基板上的正極焊墊和負(fù)極焊墊上。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的覆晶式氮化鎵發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于：所述的導(dǎo)電膠體的材料為銀膠、錫球或錫膏。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的覆晶式氮化鎵發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于：所述的形成第一溝槽以及第二溝槽的方式可為干式蝕刻或濕式蝕刻技術(shù)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的覆晶式氮化鎵發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于：所述的氮化鎵發(fā)光二極管磊晶層晶圓包括有N型氮化鎵歐姆接觸層、發(fā)光層以及P型氮化鎵歐姆接觸層。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的覆晶式氮化鎵發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于：所述的第一溝槽為U或V型。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的覆晶式氮化鎵發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于：所述的第二溝槽為U或V型。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的覆晶式氮化鎵發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于：所述的第一溝槽的蝕刻深度大于第二溝槽的蝕刻深度。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的覆晶式氮化鎵發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于：所述的N型電極襯墊延伸至N型氮化鎵歐姆接觸層表面。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的覆晶式氮化鎵發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于：所述的第一絕緣保護層將第一溝槽以及第二溝槽的內(nèi)側(cè)邊完全包覆。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的覆晶式氮化鎵發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于：所述的金屬反射層的材料為銀、鋁或銠。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的覆晶式氮化鎵發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于：所述的金屬反射層的材料是銀、鋁或銠金屬，或者所述的金屬反射層的材料是銀、鋁以及銠其中之一與鎳、鉑、鈹、鈦以及鉻其中之一組合而成。

15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的覆晶式氮化鎵發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于：所述的透光導(dǎo)電層的材料是鎳、金雙層結(jié)構(gòu)，鉑、金雙層結(jié)構(gòu)，鈹、金雙層結(jié)構(gòu)，氧化銦，氧化錫，氧化銦鉬，氧化鋅，氧化銦鋅，氧化銦鈰以及氧化銦錫其中之一或上述所有材料中至少任意兩個組合而成。

16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的覆晶式氮化鎵發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于：所述的第一絕緣保護層以及第二絕緣保護層的材料是氧化硅類、氮化硅類、液態(tài)玻璃、鐵氟龍、聚酰亞胺、氧化鋁、氧化鈦、氧化鉭、氧化釔或鉆石薄膜其中之一或其組合。

17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的覆晶式氮化鎵發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于：所述的P型電極襯墊以及N型電極襯墊的材料是鈦金合金，鈦鋁合金，鉻金合金以及鉻鋁合金其中之一或其組合。