[發明專利]被處理體的熱處理裝置和熱處理方法

有效

• 申請號: 200910146681.1
• 申請日: 2009-06-11
• 公開（公告）號: CN101604623A
• 公開（公告）日: 2009-12-16
• 發明（設計）人: 山賀健一;王文凌
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;H01L21/324;G05D23/22
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司
• 代理人: 龍 淳

1.一種被處理體的熱處理裝置，其特征在于，包括：

除收容多個被處理體以外還能夠收容具有彈性波元件的測溫用被處 理體的能夠進行排氣的處理容器；

在保持有所述多個被處理體和所述測溫用被處理體的狀態下向所述 處理容器內裝載以及卸載的保持單元；

向所述處理容器內導入氣體的氣體導入單元；

對收容在所述處理容器內的所述多個被處理體以及所述測溫用被處 理體進行加熱的加熱單元；

為了向收容在所述處理容器內的所述彈性波元件發送測定用電波而 經由高頻線路與發送器連接的作為發送用天線發揮功能的第一導電性部 件；

為了接收從收容在所述處理容器內的所述彈性波元件發射的對應于 溫度的電波而經由高頻線路與接收器連接的作為接收用天線發揮功能的 第二導電性部件；

基于由所述接收用天線接收的電波求出所述測溫用被處理體的溫度 的溫度分析部；和

控制所述加熱單元的溫度控制部，

所述第一導電性部件作為所述處理容器內的熱處理部的一部分設置，

所述第二導電性部件也作為所述處理容器內的熱處理部的一部分設 置。

2.如權利要求1所述的被處理體的熱處理裝置，其特征在于：

在所述高頻線路上插裝有高頻成分通過但截止低頻成分以及直流成 分的高頻濾波部。

3.如權利要求1所述的被處理體的熱處理裝置，其特征在于：

所述加熱單元具有加熱電源和經由供電線路連接在該加熱電源上的 電阻加熱器。

4.如權利要求3所述的被處理體的熱處理裝置，其特征在于：

為了將所述處理容器內分隔為溫度控制用的多個加熱區段，而將所述 電阻加熱器區分為能夠分別單獨地進行供給電力的控制的多個區段加熱 器。

5.如權利要求4所述的被處理體的熱處理裝置，其特征在于：

相鄰的區段加熱器間呈電導通狀態，另一方面，在每個區段加熱器上 設有供電線路。

6.如權利要求4所述的被處理體的熱處理裝置，其特征在于：

相鄰的區段加熱器間呈電絕緣狀態，另一方面，在每個區段加熱器上 設有供電線路。

7.如權利要求3所述的被處理體的熱處理裝置，其特征在于：

所述第一導電性部件及/或所述第二導電性部件為所述電阻加熱器。

8.如權利要求3所述的被處理體的熱處理裝置，其特征在于：

在所述供電線路上插裝有加熱電力通過但截止高頻成分的電力濾波 部。

9.如權利要求8所述的被處理體的熱處理裝置，其特征在于：

所述溫度控制部分時地送出應供給所述電阻加熱器的加熱電力和應 從所述發送器送出的測定用電波的電力。

10.如權利要求1所述的被處理體的熱處理裝置，其特征在于：

所述保持單元由導電性材料構成，

所述第一導電性部件及/或所述第二導電性部件為所述保持單元。

11.如權利要求1所述的被處理體的熱處理裝置，其特征在于：

所述氣體導入單元由導電性材料構成，

所述第一導電性部件及/或所述第二導電性部件為所述氣體導入單元。

12.如權利要求10所述的被處理體的熱處理裝置，其特征在于：

所述第一導電性部件及/或所述第二導電性部件由半導體構成。

13.如權利要求12所述的被處理體的熱處理裝置，其特征在于：

所述半導體由選自多晶硅、單晶硅、SiC、SiGe、GaN、ZnO、AlN、 和GaAs中的一種材料構成。

14.如權利要求1所述的被處理體的熱處理裝置，其特征在于：

在所述測溫用被處理體上設有多個彈性波元件，

所述多個彈性波元件的頻帶被設定為彼此不同。