[發明專利]電熔絲、半導體裝置和斷開電熔絲的方法

有效

• 申請號: 200910146628.1
• 申請日: 2009-06-03
• 公開（公告）號: CN101599479A
• 公開（公告）日: 2009-12-09
• 發明（設計）人: 窪田吉孝
• 申請（專利權）人: 恩益禧電子股份有限公司
• 主分類號: H01L23/525
• 分類號: H01L23/525;H01L23/58
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 孫志湧;穆德駿

1.一種電熔絲，包括：

多晶硅層；

硅化物層，形成在所述多晶硅層上方；以及

第一金屬接觸和第二金屬接觸，布置在所述硅化物層上方，同時彼此分隔開，

所述電熔絲被構造為，在斷開之前，所述第一金屬接觸和所述第二金屬接觸連接到所述硅化物層，以及

在斷開之后，所述硅化物層被從所述第二金屬接觸正下方的區域以及從所述第二金屬接觸和所述第一金屬接觸之間的整個區域排除。

2.根據權利要求1所述的電熔絲，被構造為：在斷開之后，所述第二金屬接觸與所述硅化物層斷開的同時，連接到所述多晶硅層。

3.根據權利要求1所述的電熔絲，被構造為：在斷開之后，所述第二金屬接觸與所述硅化物層和所述多晶硅層電氣斷開。

4.根據權利要求1所述的電熔絲，被構造為：所述電熔絲在斷開之后的電阻是在斷開之前的電阻的1×10²倍或更大。

5.根據權利要求2所述的電熔絲，被構造為：所述電熔絲在斷開之后的電阻是在斷開之前的電阻的1×10²倍或更大。

6.根據權利要求3所述的電熔絲，被構造為：所述電熔絲在斷開之后的電阻是在斷開之前的電阻的1×10²倍或更大。

7.一種包括電熔絲的半導體裝置，所述半導體裝置包含襯底；多晶硅層，形成在所述襯底上方；硅化物層，形成在所述多晶硅層上方；以及第一金屬接觸和第二金屬接觸，布置在所述硅化物層上方同時彼此分隔開，

所述電熔絲被構造為，在斷開之前，所述第一金屬接觸和所述第二金屬接觸連接到所述硅化物層，以及

在斷開之后，所述硅化物層被從所述第二金屬接觸正下方的區域以及從所述第二金屬接觸和所述第一金屬接觸之間的整個區域排除。

8.根據權利要求7所述的半導體裝置，

還包括判斷電路，所述判斷電路判斷所述電熔絲是否斷開，

其中，如果斷開之后的電阻是斷開之前的電阻的1×10²倍或更大，則所述判斷電路判斷所述電熔絲斷開。

9.一種斷開電熔絲的方法，所述電熔絲包括多晶硅層；硅化物層，形成在所述多晶硅層上方；以及第一金屬接觸和第二金屬接觸，布置在所述硅化物層上方同時彼此分隔開，所述方法包括：

允許電流在所述第一金屬接觸和所述第二金屬接觸之間流動，以便引起所述硅化物層從所述第二金屬接觸正下方的區域以及從所述第二金屬接觸和所述第一金屬接觸之間的區域向所述第一金屬接觸遷移，由此將所述硅化物層從所述第二金屬接觸正下方的區域以及從所述第二金屬接觸和所述第一金屬接觸之間的整個區域排除。

10.根據權利要求9所述的斷開電熔絲的方法，其中，在允許電流在所述第一金屬接觸和所述第二金屬接觸之間流動的所述步驟中，作為所述硅化物層從所述第二金屬接觸正下方的區域以及從所述第二金屬接觸和所述第一金屬接觸之間的區域向所述第一金屬接觸遷移，以填充到所述第一金屬接觸正下方的區域中的結果，所述電熔絲斷開。