[發明專利]具有電磁屏蔽源極板的非易失性存儲器件及其形成方法

無效

• 申請號: 200910146627.7
• 申請日: 2009-06-03
• 公開（公告）號: CN101599494A
• 公開（公告）日: 2009-12-09
• 發明（設計）人: 金鐘源;李云京
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/115
• 分類號: H01L27/115;G11C16/02;H01L23/58;H01L23/48;H01L23/52;H01L21/8247;H01L21/60
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 穆德駿;陸錦華

1.一種非易失性存儲器件，包括：

存儲器陣列，包括位于襯底中的并排位置處的多串非易失性存儲器單元，所述多串非易失性存儲器單元包括一排接地選擇晶體管；

多個位線，分別電氣地耦合到所述多串非易失性存儲器單元之一；以及

源極板，電氣地耦合到所述一排接地選擇晶體管的源極區，所述源極板在與所述多串非易失性存儲器單元中的每一個相關的多個字線上二維延伸。

2.如權利要求1所述的非易失性存儲器件，其中，所述源極板作為非間斷層橫跨多排所述多串非易失性存儲器單元而延伸。

3.如權利要求2所述的非易失性存儲器件，其中，所述源極板在所述多個位線與所述多串非易失性存儲器單元之間延伸。

4.如權利要求3所述的非易失性存儲器件，其中，所述多串非易失性存儲器單元中的每一個都包括在所述襯底中具有漏極區的串選擇晶體管；并且，其中，所述多個位線中的每一個都電氣地耦合到串選擇晶體管的相應漏極區。

5.如權利要求1所述的非易失性存儲器件，其中，所述多串非易失性存儲器單元中的每一個都包括在所述襯底中具有漏極區的串選擇晶體管；并且，其中，所述多個位線中的每一個都電氣地耦合到串選擇晶體管的相應漏極區。

6.如權利要求4所述的非易失性存儲器件，還包括通過源極線栓塞而耦合到所述源極板的源極線；并且，其中，所述源極線與所述多個位線共面。

7.如權利要求1所述的非易失性存儲器件，其中，所述多串非易失性存儲器單元中的每一個都包括在所述襯底中具有漏極區的串選擇晶體管；并且，其中，所述多個位線中的每一個都通過位線栓塞而電氣地耦合到串選擇晶體管的相應漏極區。

8.如權利要求7所述的非易失性存儲器件，還包括包圍所述多個位線栓塞中的每一個的擴散阻擋層；并且，其中，所述擴散阻擋層與所述源極板共面。

9.如權利要求8所述的非易失性存儲器件，其中，所述擴散阻擋層包括選自由氮化硅和氮氧化硅組成的組的電絕緣材料。

10.一種集成電路存儲器件，包括：

非易失性存儲器陣列，包括多個NAND型串的非易失性存儲器單元，多個NAND型串的所述非易失性存儲器單元在其中具有各自的接地選擇晶體管和串選擇晶體管；

源極板，在所述多個NAND型串的非易失性存儲器單元上延伸，所述源極板電氣地耦合到所述每個接地選擇晶體管的源極端子；以及

多個位線，在所述源極板上延伸，所述多個位線電氣地耦合到所述每個串選擇晶體管的漏極端子。

11.如權利要求10所述的存儲器件，還包括：

第一材料的第一層間絕緣層，在所述源極板與所述多個NAND型串的非易失性存儲器單元之間延伸；

第二材料的電絕緣擴散阻擋層，在所述第一層間絕緣層上；以及

多個位線栓塞，電氣地連接到所述多個位線，所述多個位線栓塞延伸穿過所述電絕緣擴散阻擋層。

12.如權利要求11所述的存儲器件，其中，所述電絕緣擴散阻擋層的上表面與所述源極板的上表面共面。

13.如權利要求11所述的存儲器件，還包括與所述多個位線共面的源極線和將所述源極板電氣地連接到所述源極線的導電源極線栓塞。

14.如權利要求10所述的存儲器件，其中，所述源極板被配置為連續金屬層，該連續金屬層用于在存儲器編程操作期間為所述非易失性存儲器單元電磁地屏蔽所述多個位線上的電壓的波動。

15.如權利要求11所述的存儲器件，其中，所述電絕緣擴散阻擋層包括選自由氮化硅和氮氧化硅組成的組的材料。