[發明專利]監測半導體存儲設備可靠性的方法及其裝置無效
| 申請號： | 200910146413.X | 申請日： | 2009-06-02 |
| 公開（公告）號： | CN101826367A | 公開（公告）日： | 2010-09-08 |
| 發明（設計）人： | 盧賽文 | 申請（專利權）人： | 深圳市朗科科技股份有限公司 |
| 主分類號： | G11C29/00 | 分類號： | G11C29/00;G11C11/34;G11C5/00 |
| 代理公司： | 北京英賽嘉華知識產權代理有限責任公司 11204 | 代理人： | 余朦;王艷春 |
| 地址： | 518057 廣東省深圳市南山*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 監測 半導體 存儲 設備 可靠性 方法 及其 裝置 | ||
1.一種監測半導體存儲設備可靠性的SMART方法，所述半導體存儲設備包括半導體存儲介質，其特征在于，所述方法包括：
執行SMART命令，獲取半導體存儲介質的擦寫信息；
將所述擦寫信息與預設的壽命閾值進行比較；以及
根據所述比較的結果，確定所述半導體存儲設備的可靠性。
2.根據權利要求1所述的SMART方法，其中，所述半導體存儲介質包括多個物理塊，其特征在于，所述擦寫信息包括所述半導體存儲介質的各個物理塊的擦寫次數中的最大值或平均值，并且所述擦寫信息記錄在SMART日志中。
3.根據權利要求2所述的SMART方法，其特征在于，所述壽命閾值包括物理塊的最大可擦寫次數閾值或平均可擦寫次數閾值，并且所述壽命閾值預先存儲在所述SMART日志中。
4.根據權利要求3所述的SMART方法，其特征在于，當對一物理塊執行擦寫操作后，更新該物理塊的擦寫次數，并將更新的擦寫次數寫入SMART日志。
5.根據權利要求1-4中任一項所述的SMART方法，其特征在于，所述壽命閾值包括至少一個級別的閾值，其中，所述根據所述比較的結果，確定所述半導體存儲設備的可靠性的步驟包括，根據所述擦寫信息與所述至少一個級別的閾值分別進行比較的結果，確定所述半導體存儲設備的報警狀態等級。
6.如權利要求5所述的SMART方法，其特征在于，所述監測方法進一步包括：根據所述半導體存儲設備的報警狀態等級，通過SMART命令輸出所述報警狀態。
7.一種監測半導體存儲設備可靠性的方法，所述半導體存儲設備包括半導體存儲介質，其特征在于，所述方法包括：
獲取半導體存儲介質的擦寫信息；
將所述擦寫信息與預設的壽命閾值進行比較；以及
根據所述比較的結果，確定所述半導體存儲設備的可靠性。
8.根據權利要求7所述的監測方法，其特征在于，所述壽命閾值包括至少一個級別的閾值，其中，所述根據所述比較的結果，確定所述半導體存儲設備的可靠性的步驟包括，根據所述擦寫信息與所述至少一個級別的閾值分別進行比較的結果，確定所述半導體存儲設備的報警狀態等級。
9.根據權利要求7-8中任一項所述的監測方法，其中，所述半導體存儲介質包括多個物理塊，其特征在于，所述擦寫信息包括所述半導體存儲介質的各個物理塊的擦寫次數中的最大值或平均值，所述壽命閾值包括物理塊的最大可擦寫次數閾值或平均可擦寫次數閾值。
10.一種半導體存儲設備，所述半導體存儲設備包括半導體存儲介質和控制模塊，其特征在于，所述控制模塊包括：
獲取模塊，其獲取半導體存儲介質的擦寫信息；
比較模塊，其將所述擦寫信息與預設的壽命閾值進行比較；
確定模塊，其根據所述比較的結果，確定所述半導體存儲設備的可靠性。
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