[發(fā)明專利]顯影裝置和成像設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910145830.2
• 申請日: 2009-06-15
• 公開（公告）號: CN101609288A
• 公開（公告）日: 2009-12-23
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 早瀨徹;奧野裕介;山本茂樹;松浦晉也;村崎博司
• 申請（專利權(quán)）人: 柯尼卡美能達商用科技株式會社
• 主分類號: G03G15/09
• 分類號: G03G15/09
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 張 文;潘 煒

1.一種顯影裝置，包括固定設(shè)置的磁體和可旋轉(zhuǎn)地配合到所述磁體上 的顯影滾筒，所述顯影裝置通過所述磁體的磁力在所述顯影滾筒的表面形 成并保持由包含調(diào)色劑和磁性載體顆粒的顯影劑構(gòu)成的顯影劑刷、將所述 顯影劑刷轉(zhuǎn)移到對形成在被旋轉(zhuǎn)驅(qū)動的靜電潛像載體表面的靜電潛像進 行顯影的顯影區(qū)域、以及使所述顯影劑刷與所述靜電潛像載體的表面接觸 以顯影所述靜電潛像，其中，

所述磁體具有包括顯影磁極的一組環(huán)形排列的磁極，所述顯影磁極是 面對所述顯影區(qū)域的單個磁極；

在所述顯影區(qū)域中，表示由所述磁體中的顯影磁極產(chǎn)生的沿所述顯影 滾筒表面的法線方向的磁通密度峰值的角位置從所述磁體的顯影磁極中 心的角位置沿與所述顯影滾筒相對的所述靜電潛像載體的表面運動方向 向下游移位；

表示所述磁體中磁通密度峰值的預(yù)定比例的磁通密度的角位置是沿 所述靜電潛像載體的表面運動方向相對于所述磁體中表示磁通密度峰值 的角位置向上游和向下游隔開相等的角度間隔的位置；以及

從所述磁體中表示磁通密度峰值的角位置到沿所述靜電潛像載體的 表面運動方向位于表示峰值的角位置下游的法線方向的磁通密度變?yōu)榱? 的位置的角度X與從表示峰值的角位置到表示峰值的角位置上游的法線方 向的磁通密度變?yōu)榱愕慕嵌萗之間的關(guān)系為Y＞X。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯影裝置，其中，從表示磁通密度峰值的角 位置到沿所述靜電潛像載體的表面運動方向位于上游側(cè)的法線方向的磁 通密度變?yōu)榱愕奈恢玫拇磐芏鹊淖兓ü拯c，所述拐點位于表示上游 側(cè)的磁通密度峰值的預(yù)定比例的磁通密度的位置與法線方向的磁通密度 變?yōu)榱愕奈恢弥g。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯影裝置，其中磁通密度峰值的預(yù)定比例的 磁通密度是磁通密度峰值的25％到75％的磁通密度。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯影裝置，其中，所述磁體的顯影磁極具有 切除部分，所述切除部分沿所述靜電潛像載體的表面運動方向位于所述顯 影磁極中心的上游。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯影裝置，其中，所述磁體的顯影磁極由基 于稀土的磁體和基于鐵素體的磁體構(gòu)成，并且基于稀土的磁體主要位于所 述靜電潛像載體的表面運動方向的下游。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯影裝置，其中，所述磁體的顯影磁極由包 含基于稀土的磁性粉末的粘結(jié)磁體和包含基于鐵素體的磁性粉末的粘結(jié) 磁體構(gòu)成，并且包含基于稀土的磁性粉末的粘結(jié)磁體主要位于所述靜電潛 像載體的表面運動方向的下游。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯影裝置，其中，在所述磁體中，由沿所述 靜電潛像載體的表面運動方向從下游鄰近所述顯影磁極的磁極產(chǎn)生的沿 所述顯影滾筒表面的法線方向的磁通密度處于60mT到100mT的范圍內(nèi)， 并且從下游側(cè)鄰近所述顯影磁極的磁極的中心與所述顯影磁極的中心之 間的角間距處于15度到45度的范圍內(nèi)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯影裝置，其中所述顯影劑的載體顆粒具有 20微米到40微米的顆粒尺寸以及20emu/g到80emu/g的磁力。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯影裝置，其中所述顯影劑中的磁性載體顆 粒是球形載體顆粒，所述調(diào)色劑是球形調(diào)色劑。

10.一種成像設(shè)備，包括根據(jù)權(quán)利要求1到9中任一項所述的顯影裝 置，所述裝置能夠?qū)π纬稍诒恍D(zhuǎn)驅(qū)動的靜電潛像載體上的靜電潛像進行 顯影并通過所述顯影裝置形成調(diào)色劑圖像。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的成像設(shè)備，其中，在對所述靜電潛像載體 上的靜電潛像進行顯影的顯影區(qū)域，所述靜電潛像載體的表面運動方向與 所述顯影裝置的顯影滾筒的表面運動方向相反。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的成像設(shè)備，其中，所述顯影裝置的顯影滾 筒的周向速度與所述靜電潛像載體的周向速度的比率處于1.0到2.2的范圍 內(nèi)。

13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的成像設(shè)備，其中，所述靜電潛像載體是鼓 形感光元件，所述感光元件的外徑是20mm到60mm；所述顯影裝置的顯 影滾筒的外徑是10mm到30mm。