[發明專利]半導體器件的制造方法

有效

• 申請號: 200910145489.0
• 申請日: 2009-06-09
• 公開（公告）號: CN101604658A
• 公開（公告）日: 2009-12-16
• 發明（設計）人: 笹原麗紅;田村純;田原慈
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L21/3105
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司
• 代理人: 龍 淳

1.一種具有相對介電常數大約為1的層間絕緣層的半導體器件的 制造方法，其特征在于，

包括以下工序：

在將氣隙形成在使布線間絕緣的層間絕緣膜上之前對所述層間絕 緣膜進行疏水改性處理的工序；和

在將氣隙形成在使布線間絕緣的層間絕緣膜上之后對所述布線進 行疏水改性處理的工序。

2.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，包括：

在襯底上形成層間絕緣膜的工序；

在所述層間絕緣膜上形成埋入布線的槽和/或孔的工序；

對形成了所述槽和/或孔的層間絕緣膜進行疏水改性處理的工序；

在進行了所述疏水改性處理的所述層間絕緣膜的所述槽和/或孔中 埋入布線的工序；

在埋入了所述布線的所述層間絕緣膜上形成氣隙的工序；和

對形成了所述氣隙的所述層間絕緣膜和/或所述布線進行疏水改性 處理的工序。

3.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，包括：

在襯底上形成埋入了布線的層間絕緣膜的工序；

在埋入了所述布線的所述層間絕緣膜上形成氣隙的工序；

對形成了所述氣隙的所述層間絕緣膜和/或所述布線進行疏水改性 處理的工序。

4.如權利要求2或3所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，

所述氣隙以在部分或全部所述布線的側壁殘留有所述層間絕緣膜 的狀態形成。

5.如權利要求4所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，

在所述側壁殘留有所述層間絕緣膜的所述布線上，其它布線從上 層與之接觸。

6.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，包括：

在襯底上形成層間絕緣膜的工序；

在所述層間絕緣膜上形成犧牲膜的工序；

在所述犧牲膜上形成埋入布線的槽和/或孔的工序；

對形成了所述槽和/或孔的犧牲膜進行疏水改性處理的工序；

在所述犧牲膜的所述槽和/或孔中埋入布線的工序；

從所述層間絕緣膜上去除所述犧牲膜的工序；和

對去除了所述犧牲膜的所述層間絕緣膜和/或所述布線進行疏水改 性處理的工序。

7.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，包括：

在層間絕緣膜上形成埋入了布線的犧牲膜的工序；

從所述層間絕緣膜上去除所述犧牲膜的工序；和

對除去了所述犧牲膜的所述層間絕緣膜和/或所述布線進行疏水改 性處理的工序。

8.如權利要求6或7所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，

所述犧牲膜是包含能被除去的膜和能使流體通過的膜的多層膜，

在從所述層間絕緣膜上去除所述犧牲膜的工序中，隔著所述能使 流體通過的膜去除所述能被除去的膜。

9.如權利要求6或權利要求7中所述的半導體器件的制造方法，其 特征在于，

所述犧牲膜是包含能被除去的膜和能使流體通過的膜的多層膜，

在從所述層間絕緣膜上去除所述犧牲膜的工序中，隔著所述能使 流體通過的膜去除所述能被除去的膜，

在對除去了所述犧牲膜的所述層間絕緣膜和/或所述布線進行疏水 改性處理的工序中，隔著所述能使流體通過的膜對除去了所述犧牲膜 的所述層間絕緣膜和/或所述布線進行疏水改性處理。

10.如權利要求1、2、3、6、7中任意一項所述的半導體器件的制 造方法，其特征在于，

所述層間絕緣膜是Low-k膜。

11.如權利要求1、2、3、6、7中任意一項所述的半導體器件的制 造方法，其特征在于，

所述疏水改性處理是將損傷層包含作為末端基的羥基取代成甲基 的取代處理。

12.如權利要求11所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，

所述疏水改性處理在含有三甲基甲硅烷基二甲胺(TMSDMA)的 氣氛中進行。