[發明專利]壓電薄膜元件有效
| 申請號： | 200910145449.6 | 申請日： | 2009-06-01 |
| 公開（公告）號： | CN101599527A | 公開（公告）日： | 2009-12-09 |
| 發明（設計）人： | 柴田憲治;岡史人;末永和史 | 申請（專利權）人： | 日立電線株式會社 |
| 主分類號： | H01L41/08 | 分類號： | H01L41/08;H01L41/187;C04B35/495 |
| 代理公司： | 北京銀龍知識產權代理有限公司 | 代理人： | 張敬強 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 壓電 薄膜 元件 | ||
【權利要求書】：
1.一種壓電薄膜元件，在硅基板上具有下部電極、壓電薄膜和上部電極， 其特征在于，
上述壓電薄膜具有用一般式(K1-xNax)NbO3(0＜x＜1)表示的堿性鈮氧 化物系鈣鈦礦構造的薄膜，上述(K1-xNax)NbO3薄膜的面外方向晶格常數c 與面內方向晶格常數a的比在0.98≤c/a≤1.01的范圍。
2.根據權利要求1所述的壓電薄膜元件，其特征在于，
在上述壓電薄膜上具有多個(K1-xNax)NbO3(0＜x＜1)層的場合，這些 多個層中至少最厚的(K1-xNax)NbO3(0＜x＜1)的同一組成層在0.98≤c/a ≤1.01的范圍。
3.根據權利要求1或2所述的壓電薄膜元件，其特征在于，
作為Na組成比的上述x在0.3≤x≤0.7的范圍。
4.一種壓電薄膜裝置，其特征在于，
具備權利要求1～2任一項所述的壓電薄膜元件、和電壓施加單元或電壓檢 測單元。
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