[發(fā)明專利]使用激光束進(jìn)行預(yù)熱

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910145381.1
• 申請(qǐng)日: 2009-05-14
• 公開（公告）號(hào): CN101580929A
• 公開（公告）日: 2009-11-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: C·E·埃里克森;J·J·舒諾弗
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 通用電氣公司
• 主分類號(hào): C23C14/28
• 分類號(hào): C23C14/28
• 代理公司: 中國(guó)專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 湯春龍;王丹昕

1.一種激光沉積設(shè)備，包括：

激光束發(fā)射系統(tǒng)(100)，所述激光束發(fā)射系統(tǒng)(100)發(fā)射將材料沉積到加工件(109)上的沉積激光束(103)以及控制所述加工件(109)的至少一部分的溫度的第二激光束(115)，

其中，所述第二激光束(115)在所述加工件(109)處具有比所述沉積激光束(103)在所述加工件(109)處更大的截面面積。

2.如權(quán)利要求1所述的激光沉積設(shè)備，其中，所述激光束發(fā)射系統(tǒng)(100)包含發(fā)射所述沉積激光束(103)的第一激光源(101)以及發(fā)射所述第二激光束(115)的第二激光源(113)。

3.如權(quán)利要求1所述的激光沉積設(shè)備，其中，所述沉積激光束(103)用于激光凈成形制造。

4.如權(quán)利要求1所述的激光沉積設(shè)備，其中，所述激光束發(fā)射系統(tǒng)(100)包括至少一個(gè)光學(xué)組件(107)，所述至少一個(gè)光學(xué)組件(107)將所述沉積激光束(101)和所述第二激光束(115)中的至少一個(gè)引導(dǎo)到所述加工件(109)。

5.如權(quán)利要求1所述的激光沉積設(shè)備，其中，所述第二激光束(115)的所述截面面積至少覆蓋所述加工件(109)的表面(117)的大約50％。

6.如權(quán)利要求4所述的激光沉積設(shè)備，其中，所述光學(xué)組件(107)用于將所述沉積激光束(103)和所述第二激光束(115)引導(dǎo)到所述加工件(109)。

7.如權(quán)利要求6所述的激光沉積設(shè)備，其中，所述光學(xué)組件(107)在所述沉積激光束(103)被發(fā)射時(shí)定位成離所述加工件(109)第一距離，以及所述光學(xué)組件(107)在所述第二激光束(115)被發(fā)射時(shí)定位成離所述加工件(109)第二距離。

8.如權(quán)利要求1所述的激光沉積設(shè)備，其中，所述第二激光束(115)在所述加工件(109)處具有與所述沉積激光束(103)在所述加工件(109)處不同的激光能量密度。

9.如權(quán)利要求1所述的激光沉積設(shè)備，其中，所述第二激光束(115)控制所述加工件(109)的至少所述部分的溫度變化的速率。

10.一種激光沉積設(shè)備，包括：

激光束發(fā)射系統(tǒng)(200)，所述激光束發(fā)射系統(tǒng)(200)發(fā)射將材料沉積到加工件(109)上的沉積激光束(103)以及控制所述加工件(109)的至少一部分的溫度的第二激光束(115)，

其中，所述第二激光束(115)在所述加工件(109)處具有比所述沉積激光束(103)在所述加工件(109)處更大的截面面積，以及

其中，所述激光束發(fā)射系統(tǒng)(200)包括發(fā)射所述沉積激光束(103)和所述第二激光束(115)的單激光束源(201)。