[發明專利]透明碳納米管膜的制備方法

有效

• 申請號: 200910142784.0
• 申請日: 2009-05-22
• 公開（公告）號: CN101585533A
• 公開（公告）日: 2009-11-25
• 發明（設計）人: 姜開利;劉亮;范守善
• 申請（專利權）人: 清華大學;鴻富錦精密工業(深圳)有限公司
• 主分類號: C01B31/02
• 分類號: C01B31/02
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種透明碳納米管膜的制備方法，其包括以下步驟：

提供一碳納米管膜，該碳納米管膜包括多個碳納米管基本平行于碳納米管膜的表面；以及

在有氧氣的環境下采用激光加熱該碳納米管膜，該碳納米管膜中的部分碳納米管被氧化，使該碳納米管膜變薄。

2.如權利要求1所述的透明碳納米管膜的制備方法，其特征在于，所述碳納米管膜的制備方法包括直接生長法、絮化法、碾壓法或拉膜法。

3.如權利要求1所述的透明碳納米管膜的制備方法，其特征在于，所述碳納米管膜為一自支撐碳納米管膜。

4.如權利要求1所述的透明碳納米管膜的制備方法，其特征在于，所述碳納米管膜包括多個碳納米管基本相互平行。

5.如權利要求1所述的透明碳納米管膜的制備方法，其特征在于，所述碳納米管膜包括多個碳納米管首尾相連且沿同一方向擇優取向排列。

6.如權利要求5所述的透明碳納米管膜的制備方法，其特征在于，所述制備碳納米管膜的制備方法具體包括以下步驟：提供一碳納米管陣列；采用一拉伸工具從該碳納米管陣列中拉取獲得一碳納米管膜。

7.如權利要求1所述的透明碳納米管膜的制備方法，其特征在于，所述加熱碳納米管膜的方法為局部加熱法，其具體包括以下步驟：局部加熱碳納米管膜，使碳納米管膜在局部位置的部分碳納米管被氧化；移動碳納米管被局部加熱的位置，從局部到整體實現整個碳納米管膜的加熱。

8.如權利要求1所述的透明碳納米管膜的制備方法，其特征在于，所述采用激光加熱法加熱碳納米管膜的方法具體包括以下步驟：固定碳納米管膜；提供一可移動的激光裝置；以及以小于等于10毫米/秒的速度移動該激光裝置使激光掃描照射該碳納米管膜。

9.如權利要求1所述的透明碳納米管膜的制備方法，其特征在于，所述采用激光加熱法加熱碳納米管膜的方法包括以下步驟：提供一固定的激光裝置，該激光裝置在一固定區域形成一激光掃描區；使該碳納米管膜以小于等于10毫米/秒的速度經過該激光掃描區。

10.如權利要求9所述的透明碳納米管膜的制備方法，其特征在于，所述激光掃描區的長度大于碳納米管膜的寬度，寬度等于激光的光斑直徑。

11.如權利要求8或9所述的透明碳納米管膜的制備方法，其特征在于，所述激光裝置包括固體激光器、液體激光器、氣體激光器及半導體激光器中的一種或多種。

12.如權利要求11所述的透明碳納米管膜的制備方法，其特征在于，該激光裝置包括一個或多個二氧化碳激光器，激光器的功率為30瓦特，波長為10.6微米，激光光斑直徑為3毫米，激光掃描速度為10毫米/秒。

13.如權利要求8或9所述的透明碳納米管膜的制備方法，其特征在于，所述激光的功率密度大于0.1×10⁴瓦特/平方米。

14.如權利要求13所述的透明碳納米管膜的制備方法，其特征在于，所述激光的功率密度大于0.053×10¹²瓦特/平方米，照射時間小于1.8秒。

15.一種透明碳納米管膜的制備方法，其包括以下步驟：

提供一碳納米管陣列；

從所述碳納米管陣列中直接拉取獲得一碳納米管膜；

提供一透明的基體，將上述碳納米管膜鋪設在透明基體表面；

在有氧氣的環境下，采用激光照射碳納米管膜，該碳納米管膜中的部分碳納米管被氧化，使該碳納米管膜變薄。

16.如權利要求15所述的透明碳納米管膜的制備方法，其特征在于，所述采用激光照射碳納米管膜的方法具體包括以下步驟：提供一激光裝置；采用激光掃描照射碳納米管膜，使在碳納米管膜中的部分碳納米管被氧化。

17.如權利要求15所述的碳納米管膜的制備方法，其特征在于，所述透明基體材料包括金屬、玻璃、橡膠或塑料。