[發明專利]薄膜晶體管結構

無效

• 申請號: 200910142738.0
• 申請日: 2009-06-02
• 公開（公告）號: CN101562199A
• 公開（公告）日: 2009-10-21
• 發明（設計）人: 楊易昌;林秀如;鄭孝威
• 申請（專利權）人: 友達光電股份有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L29/417
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司
• 代理人: 任默聞

1.一種薄膜晶體管結構，其特征在于，所述晶體管結構包括：

一源極，所述源極包括一第一部分，所述第一部分具有一第一側緣；以及

一漏極，所述漏極包括一第二部分，所述第二部分具有一第二側緣；

其中，所述第一側緣朝向所述第二部分，所述第二側緣朝向所述第一部分，并且所述第一側緣與所述第二側緣分別具有多個凹凸，所述第一側緣的所述這些凹凸與所述第二側緣的所述這些凹凸實質上彼此互補。

2.如權利要求1所述的薄膜晶體管結構，其特征在于，所述這些凹凸是為至少部分連續。

3.如權利要求1所述的薄膜晶體管結構，其特征在于，所述這些凹凸包括一角形，其中所述角形具有一尖角，所述尖角實質上介于60度至120度之間。

4.如權利要求1所述的薄膜晶體管結構，其特征在于，所述這些凹凸包括一矩形、一弧形、一梯形或上述的組合，其中所述弧形包括一圓弧，所述圓弧的一圓心角實質上介于60度至120度之間。

5.如權利要求1所述的薄膜晶體管結構，其特征在于，所述第一部分及所述第二部分沿所述這些凹凸適可定義一對應長度，且所述第一側緣及所述第二側緣之間形成一間距，所述對應長度與所述間距的比值，實質上介于1與20之間。

6.如權利要求1所述的薄膜晶體管結構，其特征在于，所述源極包括至少一陽性結構，所述漏極包括至少一陰性結構，與所述至少一陽性結構對應。

7.如權利要求1所述的薄膜晶體管結構，其特征在于，所述第一部分與所述第二部分實質上平行對應。

8.如權利要求1所述的薄膜晶體管結構，其特征在于，所述晶體管結構更包括：

一柵極，與所述源極和漏極絕緣；以及

一通道層，其兩端分別與所述源極和所述漏極電連接。

9.一種薄膜晶體管結構，其特征在于，所述晶體管結構包括：

一源極，所述源極包括一第一主結構與一第一微結構，所述第一微結構至少局部形成于所述第一主結構的輪廓上；以及

一漏極，所述漏極包括一第二主結構與一第二微結構，所述第二微結構至少局部形成于所述第二主結構的一輪廓上；

其中，所述第一微結構至少局部朝向所述漏極，所述第二微結構至少局部朝向所述源極，所述第一微結構與所述第二微結構分別具有多個凹凸，所述第一微結構的所述這些凹凸與所述第二微結構的所述這些凹凸彼此對應。

10.如權利要求9所述的薄膜晶體管結構，其特征在于，所述第一微結構的所述這些凹凸與所述第二微結構的所述這些凹凸實質上彼此互補。

11.如權利要求9所述的薄膜晶體管結構，其特征在于，所述這些凹凸是至少部分連續。

12.如權利要求9所述的薄膜晶體管結構，其特征在于，所述這些凹凸包括一角形，其中所述角形具有一尖角，所述尖角實質上介于60度至120度之間。

13.如權利要求9所述的薄膜晶體管結構，其特征在于，所述這些凹凸包括一矩形、一弧形、一梯形或上述的組合，其中所述弧形包括一圓弧，所述圓弧的一圓心角實質上介于60度至120度之間。

14.如權利要求9所述的薄膜晶體管結構，其特征在于，所述第一主結構及所述第二主結構分別沿所述這些凹凸適可定義一對應長度，且所述第一微結構及所述第二微結構之間形成一間距，所述對應長度與所述間距的比值，實質上介于1與20之間。

15.如權利要求9所述的薄膜晶體管結構，其特征在于，所述這些凹凸至少包括一凹部及一凸部，所述第一微結構的所述凹部對應于所述第二微結構的所述凸部，且所述第一微結構的所述凸部對應于所述第二微結構的所述凹部。

16.如權利要求9所述的薄膜晶體管結構，其特征在于，所述源極的所述第一主結構為矩形，所述漏極的所述第二主結構為U形，且所述漏極實質上圍繞所述源極。

17.如權利要求9所述的薄膜晶體管結構，其特征在于，所述源極的所述第一主結構與所述漏極的所述第二主結構為蝸形，且實質上平行對應。

18.如權利要求9所述的薄膜晶體管結構，其特征在于，所述晶體管結構更包括：

一柵極，與所述源極和漏極絕緣；以及

一通道層，其兩端分別與所述源極和所述漏極電連接。