[發(fā)明專利]包括薄膜晶體管的陣列基板及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910142646.2
• 申請日: 2009-06-04
• 公開（公告）號: CN101740499A
• 公開（公告）日: 2010-06-16
• 發(fā)明（設計）人: 盧炯求;安炳喆;崔熙東;徐誠模;李晙珉
• 申請（專利權）人: 樂金顯示有限公司
• 主分類號: H01L21/82
• 分類號: H01L21/82;H01L21/768;H01L21/268;H01L21/263;H01L27/02
• 代理公司: 北京三友知識產(chǎn)權代理有限公司 11127
• 代理人: 李輝

1.一種制造陣列基板的方法，該方法包括以下步驟：

形成選通線和連接到所述選通線的柵極；

在所述選通線和所述柵極上形成柵絕緣層；

在所述柵極上方在所述柵絕緣層上順序形成本征非晶硅圖案和摻雜 非晶硅圖案；

在所述柵絕緣層上形成數(shù)據(jù)線且在所述摻雜非晶硅圖案上形成源極 和漏極，所述數(shù)據(jù)線與所述選通線交叉以限定像素區(qū)域，并且所述源極 和漏極彼此隔開；

去除所述摻雜非晶硅圖案中通過所述源極和漏極而露出的部分以限 定歐姆接觸層；

通過所述源極和漏極在所述本征非晶硅圖案上照射第一激光束以形 成有源層，該有源層包括多晶硅的第一部分和位于所述第一部分兩側(cè)的 非晶硅的第二部分；

在所述數(shù)據(jù)線、所述源極和所述漏極上形成鈍化層，所述鈍化層具 有露出所述漏極的漏接觸孔；以及

在所述像素區(qū)域中在所述鈍化層上形成像素電極，所述像素電極通 過所述漏接觸孔連接到所述漏極，

其中使用固體激光器來進行照射所述第一激光束的步驟，并且

其中從二極管泵浦固體激光器設備發(fā)射所述第一激光束，所述二極 管泵浦固體激光器設備包括：發(fā)射紅外射線的多個二極管；使用所述紅 外射線產(chǎn)生第二激光束的釔鋁石榴石棒；二次諧波發(fā)生光學裝置，其使 所述第二激光束的一部分的頻率加倍以輸出第一波長的所述第一激光束 和比所述第一波長大的第二波長的所述第二激光束；分離所述第一激光 束和第二激光束的波長分離鏡。

2.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中所述第一激光束具有在15.4瓦 至16.2瓦的范圍內(nèi)的功率。

3.根據(jù)權利要求1所述的方法，該方法還包括以下步驟：在所述照 射步驟之后，在280℃至350℃的溫度下使所述有源層退火30分鐘至120 分鐘的時間段。

4.根據(jù)權利要求1所述的方法，該方法還包括以下步驟：在所述照 射步驟之后，在真空腔中使用氫等離子體來處理所述有源層。

5.根據(jù)權利要求4所述的方法，其中以1000sccm至2000sccm的流 速將氫氣提供到所述真空腔中，并且所述真空腔具有10mTorr至100 mTorr的壓力。

6.根據(jù)權利要求4所述的方法，其中使用所述氫等離子體來處理所 述有源層的步驟進行2分鐘至4.5分鐘。

7.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中通過一道掩模工序進行順序形 成所述本征非晶硅圖案和所述摻雜非晶硅圖案的步驟以及形成所述數(shù)據(jù) 線、所述源極和所述漏極的步驟。