[發(fā)明專利]氮化物系發(fā)光元件及其制造方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910142480.4 | 申請日： | 2005-02-04 |
| 公開（公告）號： | CN101582481A | 公開（公告）日： | 2009-11-18 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 國里龍也;廣山良治;畑雅幸;太田潔 | 申請（專利權(quán)）人： | 三洋電機(jī)株式會社 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00;H01L21/78;H01L21/50 |
| 代理公司： | 北京尚誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人： | 龍 淳 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 氮化物 發(fā)光 元件 及其 制造 方法 | ||
1.一種氮化物系發(fā)光元件的制造方法，其特征在于，
具有：
在生長用基板上形成由InGaN形成的分離層，在所述分離層上形成氮化物系半導(dǎo)體元件層的工序，其中所述氮化物系半導(dǎo)體元件層包含與所述分離層接觸且由GaN或AlGaN形成的n型接觸層和在所述n型接觸層上形成的n型包層；
在所述氮化物系半導(dǎo)體元件層的元件分離區(qū)域形成溝槽部的工序；
在形成有所述溝槽部的所述氮化物系半導(dǎo)體元件層上接合導(dǎo)電性基板的工序；以及
在所述氮化物系半導(dǎo)體元件層上接合有所述導(dǎo)電性基板的狀態(tài)下，使所述分離層上側(cè)的所述氮化物系半導(dǎo)體元件層與所述分離層下側(cè)的所述生長用基板分離的工序，
在從所述氮化物系半導(dǎo)體元件層分離所述生長用基板的工序中，在所述分離層上，通過使從所述生長用基板側(cè)照射的規(guī)定波長的光被吸收，使所述分離層上側(cè)的所述氮化物系半導(dǎo)體元件層與所述分離層下側(cè)的所述生長用基板分離。
2.如權(quán)利要求1所述的氮化物系發(fā)光元件的制造方法，其特征在于，
在所述氮化物系半導(dǎo)體元件層的元件分離區(qū)域形成溝槽部的工序與在所述氮化物系半導(dǎo)體元件層上接合導(dǎo)電性基板的工序之間，還具有以覆蓋由溝槽部露出的所述氮化物系半導(dǎo)體元件層的側(cè)面的方式形成保護(hù)膜的工序。
3.如權(quán)利要求1或2所述的氮化物系發(fā)光元件的制造方法，其特征在于，
所述溝槽部具有到達(dá)所述生長用基板的深度。
4.如權(quán)利要求1～3的任一項(xiàng)所述的氮化物系發(fā)光元件的制造方法，其特征在于，
所述分離層被形成于形成在所述生長用基板上的基底層上。
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