[發(fā)明專利]固體攝像裝置和電子裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910142237.2
• 申請(qǐng)日: 2009-06-26
• 公開（公告）號(hào): CN101615621A
• 公開（公告）日: 2009-12-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 糸長(zhǎng)總一郎
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 索尼株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L27/146
• 分類號(hào): H01L27/146;H01L29/78;H01L29/06;H01L31/0352;H04N5/335
• 代理公司: 北京信慧永光知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 褚海英;武玉琴

1.一種固體攝像裝置，其包括：

光電轉(zhuǎn)換部；

浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)域；

由n型半導(dǎo)體制成的傳輸柵極；

由n型半導(dǎo)體制成的側(cè)壁，其隔著絕緣膜形成于所述傳輸柵極的 所述光電轉(zhuǎn)換部一側(cè)；以及

由絕緣層制成的側(cè)壁，其形成于所述傳輸柵極的所述浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū) 域一側(cè)。

2.如權(quán)利要求1所述的固體攝像裝置，其中，在電荷進(jìn)行累積時(shí)，通 過柵極電壓，在所述由n型半導(dǎo)體制成的側(cè)壁下面的所述光電轉(zhuǎn)換部的表 面由于與信號(hào)電荷相反的電荷而處于釘扎模式。

3.一種固體攝像裝置，其包括：

單位像素中的具有第一光電二極管和第二光電二極管的光電轉(zhuǎn)換 部；

浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)域；

由n型半導(dǎo)體制成的傳輸柵極；

由n型半導(dǎo)體制成的側(cè)壁，其隔著絕緣膜形成于所述傳輸柵極的所 述光電轉(zhuǎn)換部一側(cè)；以及

由絕緣層制成的側(cè)壁，其形成于所述傳輸柵極的所述浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)域 一側(cè)，

其中，所述第二光電二極管位于傳輸柵極附近并且具有比所述第一 光電二極管高的雜質(zhì)濃度。

4.如權(quán)利要求3所述的固體攝像裝置，其中，所述第一光電二極管構(gòu) 造為嵌入型光電二極管，在其表面形成導(dǎo)電類型與電荷累積區(qū)域相反的 累積區(qū)域，并且

其中，所述第二光電二極管構(gòu)造為這樣的光電二極管，即在其表面 處由于所述傳輸柵極所形成的電場(chǎng)或隔著絕緣膜由形成于所述傳輸柵極 處的半導(dǎo)體制成的側(cè)壁所形成的電場(chǎng)，會(huì)誘導(dǎo)與信號(hào)電荷相反的電荷。

5.如權(quán)利要求4所述的固體攝像裝置，其中，由所需導(dǎo)電類型的半導(dǎo) 體制成的側(cè)壁形成于所述傳輸柵極的第二光電二極管一側(cè)。

6.一種電子裝置，其包括：

固體攝像裝置；

光學(xué)系統(tǒng)，其將入射光導(dǎo)入所述固體攝像裝置的光電轉(zhuǎn)換部；以及

信號(hào)處理電路，其處理所述固體攝像裝置的輸出信號(hào)，

其中，所述固體攝像裝置包括：

光電轉(zhuǎn)換部；

浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)域；

由n型半導(dǎo)體制成的傳輸柵極；

由n型半導(dǎo)體制成的側(cè)壁，其隔著絕緣膜形成于所述傳輸柵極的 所述光電轉(zhuǎn)換部一側(cè)；以及

由絕緣層構(gòu)成的側(cè)壁，其形成于所述傳輸柵極的所述浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū) 域一側(cè)。

7.如權(quán)利要求6所述的電子裝置，其中，在所述固體攝像裝置中，在 電荷進(jìn)行累積時(shí)，通過柵極電壓，在所述由n型半導(dǎo)體制成的側(cè)壁下面的 所述光電轉(zhuǎn)換部的表面由于與信號(hào)電荷相反的電荷而處于釘扎模式。

8.一種電子裝置，其包括：

固體攝像裝置；

光學(xué)系統(tǒng)，其將入射光導(dǎo)入所述固體攝像裝置的光電轉(zhuǎn)換部；以及

信號(hào)處理電路，其處理所述固體攝像裝置的輸出信號(hào)，并且

其中，所述固體攝像裝置包括：

單位像素中的具有第一光電二極管和第二光電二極管的光電轉(zhuǎn)換 部；

浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)域；

由n型半導(dǎo)體制成的傳輸柵極；

由n型半導(dǎo)體制成的側(cè)壁，其隔著絕緣膜形成于所述傳輸柵極的所 述光電轉(zhuǎn)換部一側(cè)；以及

由絕緣層制成的側(cè)壁，其形成于所述傳輸柵極的所述浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)域 一側(cè)，

其中，所述第二光電二極管位于傳輸柵極附近并且具有比所述第一 光電二極管高的雜質(zhì)濃度。

9.如權(quán)利要求8所述的電子裝置，

其中，在所述固體攝像裝置中，所述第一光電二極管構(gòu)造為嵌入型 光電二極管，其中，在其表面處形成導(dǎo)電類型與電荷累積區(qū)域相反的累 積區(qū)域，并且

其中，所述第二光電二極管構(gòu)造為這樣的光電二極管，即在其表面 處由于所述傳輸柵極所形成的電場(chǎng)或由隔著絕緣膜形成于所述傳輸柵極 處的半導(dǎo)體制成的側(cè)壁所形成的電場(chǎng)，會(huì)誘導(dǎo)與信號(hào)電荷相反的電荷。