[發明專利]半導體元件的制造方法

有效

• 申請號: 200910141835.8
• 申請日: 2009-05-26
• 公開（公告）號: CN101661883A
• 公開（公告）日: 2010-03-03
• 發明（設計）人: 陳建豪;侯永田;徐鵬富;黃國泰;趙元舜;洪正隆
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/283
• 分類號: H01L21/283;H01L21/336
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司
• 代理人: 姜 燕;陳 晨

1.一種半導體元件的制造方法，包括：

提供一半導體基材；

在該半導體基材上形成一界面層；

在該界面層上形成一柵極介電層；

在該柵極介電層上形成一金屬柵極；及

在該金屬柵極上形成一吸氣層，其中該吸氣層包含一可吸收氧氣的介電 成分，其中該介電成分擇自下列組成的族群：氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、 鍺化硅及前述的組合；

使氧氣自該界面層遷移至該吸氣層以減少該界面層的厚度；及

移除該吸氣層。

2.如權利要求1所述的半導體元件的制造方法，其中該界面層包含二氧 化硅。

3.一種半導體元件的制造方法，包含：

提供一基材；

在該基材上形成一界面層，其中該界面層包含一二氧化硅其具有第一厚 度；

在該界面層上形成一金屬柵極，

在該金屬柵極上形成一吸氣層，其中該吸氣層包含一可吸收氧氣的介電 成分，其中該介電成分擇自下列組成的族群：氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、 鍺化硅及前述的組合；

從該界面層吸收氧氣至該吸氣層以減少該界面層的厚度至一第二厚度； 及

移除該吸氣層。

4.如權利要求3所述的半導體元件的制造方法，其中使該厚度減少的步 驟包含一高溫工藝。