[發明專利]半導體器件及其制造方法

無效

• 申請號: 200910141726.6
• 申請日: 2009-05-25
• 公開（公告）號: CN101587911A
• 公開（公告）日: 2009-11-25
• 發明（設計）人: 森隆弘
• 申請（專利權）人: 恩益禧電子股份有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336;H01L21/311
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 孫志湧;穆德駿

1.一種半導體器件，包括：

第一導電類型的第一區，所述第一區形成在半導體襯底的表面區 域中；

第二導電類型的源極區，所述源極區形成在所述第一區的表面區 域中；

第二導電類型的第二區，所述第二區形成在所述半導體襯底的表 面區域中；

第二導電類型的漏極區，所述漏極區形成在所述第二區的表面區 域中；

柵極絕緣層，所述柵極絕緣層形成在所述半導體襯底的正表面上 并且從所述源極區延伸至所述第二區；

場絕緣層，所述場絕緣層形成于在所述漏極區和所述柵極絕緣層 之間的所述半導體襯底的表面區域中；以及

柵極電極，所述柵極電極覆蓋一部分所述柵極絕緣層和一部分所 述場絕緣層，

其中，所述場絕緣層在其與所述柵極電極相重疊的上表面的部分 上具有階梯，并使得在所述階梯和所述柵極絕緣層之間的所述場絕緣 層的部分比所述場絕緣層的其它部分更薄，

其中，在相對于存在所述階梯的所述上表面的部分相反的所述場 絕緣層的下表面的部分上，所述場絕緣層不具有階梯。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，

在所述階梯和所述柵極絕緣層之間的所述場絕緣層的所述部分的 最大膜厚度小于在所述階梯和所述漏極區之間的所述場絕緣層的部分 的最大膜厚度。

3.根據權利要求2所述的半導體器件，其中，

在所述階梯和所述柵極絕緣層之間的所述場絕緣層的所述部分具 有與所述半導體襯底的正表面基本上平行的表面。

4.根據權利要求2所述的半導體器件，其中，

在所述階梯和所述柵極絕緣層之間的所述場絕緣層的所述部分的 最大膜厚度大于所述柵極絕緣層的膜厚度。

5.一種半導體器件的制造方法，包括以下步驟：

在半導體襯底的正表面上形成絕緣層，在所述半導體襯底的表面 區域中形成第二導電類型的第二區，以及在所述第二區的表面區域中 形成場絕緣層；

形成抗蝕劑膜，所述抗蝕劑膜具有包括與所述場絕緣層的部分對 應的開口部分的圖形；

通過將所述抗蝕劑膜用作掩模，而去除一部分所述場絕緣層的上 部；

形成柵極電極，以使得所述柵極電極覆蓋在所述半導體襯底的所 述正表面上形成的柵極絕緣層的一部分和包括階梯在內的所述場絕緣 層的一部分，其中，所述場絕緣層在其與所述柵極電極相重疊的上表 面的部分上具有所述階梯，并使得在所述階梯和所述柵極絕緣層之間 的所述場絕緣層的部分比所述場絕緣層的其它部分更薄；

在所述半導體襯底的表面區域中形成第一導電類型的第一區；以 及，

在所述第一區的表面區域中形成第二導電類型的源極區，以及在 所述第二區的表面區域中形成第二導電類型的漏極區。

6.一種半導體器件的制造方法，包括以下步驟：

形成以下各層，其中包括：

在半導體襯底的第一形成區段的正表面上形成第一絕緣層， 而在所述半導體襯底的第二形成區段的正表面上形成第二絕緣層，

在所述第一形成區段的表面區域中形成第二導電類型的第二 區，而在所述第二形成區段的表面區域中形成第二導電類型的第四區， 以及

在所述第二區的表面區域中形成第一場絕緣層，而在所述第 四區的表面區域中形成第二場絕緣層；

在所述第一形成區段中，通過去除所述第一場絕緣層的一部分的 上部和所述第一絕緣層的一部分而形成階梯；

通過熱氧化，在所產生的第一形成區段的正表面上形成第一柵極 絕緣層，并且在所產生的第二形成區段的正表面上形成第二柵極絕緣 層，所述第二柵極絕緣層通過使所述第二絕緣層變厚而獲得；

形成第一柵極電極，以使得所述第一柵極絕緣層的一部分和包括 所述階梯的所述第一場絕緣層的一部分被所述第一柵極電極覆蓋，同 時形成第二柵極電極，以使得所述第二柵極絕緣層的一部分和所述第 二場絕緣層的一部分被所述第二柵極電極覆蓋；

在所得到的第一形成區段的表面區域中形成第一導電類型的第一 區，在所得到的第二形成區段的表面區域中形成第一導電類型的第三 區；以及

在所述第一區的表面區域中形成第二導電類型的第一源極區，而 在所述第二區的表面區域中形成第二導電類型的第一漏極區，同時， 在所述第三區的表面區域中形成第二導電類型的第二源極區，而在所 述第四區的表面區域中形成第二導電類型的第二漏極區。