[發(fā)明專利]物性測量設(shè)備和物性測量方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910141330.1 | 申請日: | 2009-05-31 |
| 公開(公告)號: | CN101592581A | 公開(公告)日: | 2009-12-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 林義人 | 申請(專利權(quán))人: | 索尼株式會社 |
| 主分類號: | G01N11/00 | 分類號: | G01N11/00;G01N3/00;G01R27/02 |
| 代理公司: | 北京東方億思知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 | 代理人: | 李曉冬;南 霆 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 物性 測量 設(shè)備 測量方法 | ||
1.一種物性測量設(shè)備,包括:
以可旋轉(zhuǎn)和/或可振動狀態(tài)安裝的第一板;以及
面對所述第一板布置并設(shè)有阻抗測量部分的第二板,
其中,由變形導(dǎo)致的應(yīng)力被測量,所述變形通過旋轉(zhuǎn)或振動所述第一 板而產(chǎn)生,作為給予樣品的變形,所述樣品設(shè)置在所述第一板與所述第二 板之間的間隙中,并且
同時,所述阻抗測量部分測量所述樣品的阻抗。
2.如權(quán)利要求1所述的物性測量設(shè)備,其中,所述阻抗測量部分至少 包括:
絕緣層;
一對傳導(dǎo)層,所述傳導(dǎo)層彼此面對以將所述絕緣層夾在中間,并且每 個所述傳導(dǎo)層被用作高頻傳輸線;和
層間斷間隙,其形成在處于靠近所述第一板那側(cè)的所述傳導(dǎo)層上,用 于間斷所述傳導(dǎo)層并允許所述樣品的一部分被引入所述層間斷間隙中;
在所述傳導(dǎo)層之間施加電壓,并且
測量由于將所述樣品引入到所述層間斷間隙而發(fā)生變化的阻抗。
3.如權(quán)利要求1所述的物性測量設(shè)備,其中,所述阻抗測量部分至少 包括:
絕緣層;以及
一對梳狀電極,其以彼此配合的狀態(tài)形成,并通過固定的間隙而與所 述絕緣層的處于所述第一板那側(cè)的表面隔開;
在所述梳狀電極之間施加電壓,并且
測量由于將所述樣品引入到所述梳狀電極中的一個電極和另一個電極 之間的間隙而發(fā)生變化的阻抗。
4.如權(quán)利要求1所述的物性測量設(shè)備,所述物性測量設(shè)備還包括:
分析部分,其配置成:
基于測量出的所述應(yīng)力而計算所述樣品的動態(tài)粘彈性;以及
基于測量出的所述阻抗而計算所述樣品的介電特性。
5.如權(quán)利要求1所述的物性測量設(shè)備,其中,所述樣品具有液體、懸 浮液和凝膠態(tài)物質(zhì)中的至少一種類型。
6.一種用于物性測量設(shè)備的物性測量方法,所述物性測量設(shè)備采用以 可旋轉(zhuǎn)和/或可振動狀態(tài)安裝的第一板以及面對所述第一板布置并設(shè)有阻抗 測量部分的第二板,
其中,所述物性測量方法包括如下步驟:
測量由變形導(dǎo)致的應(yīng)力,所述變形通過旋轉(zhuǎn)或振動所述第一板而產(chǎn) 生,并作為給予樣品的變形,所述樣品設(shè)置在所述第一板與所述第二板之 間的間隙中,以及
同時,通過所述阻抗測量部分進(jìn)行對所述樣品的阻抗的測量。
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