[發明專利]熱輔助記錄頭

有效

• 申請號: 200910141112.8
• 申請日: 2009-05-22
• 公開（公告）號: CN101587714A
• 公開（公告）日: 2009-11-25
• 發明（設計）人: 小羅伯特·E·方塔納;詹姆斯·T·奧爾森;巴里·C·斯蒂普;蒂莫西·C·斯特蘭德
• 申請（專利權）人: 日立環球儲存科技荷蘭有限公司
• 主分類號: G11B5/31
• 分類號: G11B5/31
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 張 波

1.一種具有集成光源的薄膜磁頭，該薄膜磁頭包括：

寫極，所述寫極包括上極層、上極尖和上極唇；

近場光源，包括導電金屬膜，C孔形成在所述導電金屬膜中，所述C孔包括具有脊的矩形孔，所述脊從所述導電金屬膜的第一部分延伸到所述矩形孔中，所述導電金屬膜的第二部分包含所述上極唇，所述上極唇構成所述矩形孔的與所述脊相反的邊界的至少一部分；以及

光波導，用于為所述近場光源提供光照。

2.如權利要求1所述的薄膜磁頭，還包括磁耦合到所述寫極的背間隙，所述光波導延伸穿過所述背間隙的至少一部分。

3.如權利要求1所述的薄膜磁頭，其中所述光波導包括包封在包層中的光傳導芯層。

4.如權利要求3所述的薄膜磁頭，其中所述近場光源具有與氣墊面共面的第一表面，所述近場光源具有與所述第一表面平行的第二表面，所述第二表面與所述第一表面相反，所述光傳導芯層與所述第二表面的至少一部分接觸。

5.如權利要求3所述的薄膜磁頭，其中所述光傳導芯層包括Ta₂O₅。

6.如權利要求3所述的薄膜磁頭，其中所述光傳導芯層包括鈦氧化物。

7.如權利要求1所述的薄膜磁頭，其中所述寫極包括磁階梯層，所述磁階梯層接觸所述上極尖和所述上極唇。

8.如權利要求1所述的薄膜磁頭，其中所述導電金屬膜的所述第一部分包括銅。

9.如權利要求1所述的薄膜磁頭，其中所述導電金屬膜的所述第一部分包括金。

10.如權利要求1所述的薄膜磁頭，其中所述導電金屬膜的所述第二部分包括磁合金。

11.如權利要求10所述的薄膜磁頭，其中所述磁合金包括Co、Ni和Fe。

12.如權利要求11所述的薄膜磁頭，其中所述C孔被填充以光學透明材料。

13.如權利要求1所述的薄膜磁頭，其中所述上極唇具有在氣墊面處測量的第一寬度，所述C孔的所述脊具有在氣墊面處測量的第二寬度，所述第一寬度大于或等于所述第二寬度。

14.如權利要求13所述的薄膜磁頭，其中所述上極尖具有在氣墊面測量的第三寬度，所述第一寬度小于或等于所述第三寬度。

15.如權利要求14所述的薄膜磁頭，其中所述第二寬度為約16納米，所述第一寬度在20nm和280nm之間變化。

16.如權利要求15所述的薄膜磁頭，其中當與包括具有金制成的所述導電金屬膜的所述第二部分的C孔的磁頭相比時，近場加熱效率在75％和90％之間變化。

17.如權利要求7所述的薄膜磁頭，其中所述導電金屬膜的所述第一部分包括銅。

18.如權利要求7所述的薄膜磁頭，其中所述導電金屬膜的所述第一部分包括金。

19.如權利要求7所述的薄膜磁頭，其中所述導電金屬膜的所述第二部分包括磁合金。