[發明專利]等離子體處理裝置及其絕緣蓋板有效
| 申請號: | 200910141055.3 | 申請日: | 2009-05-18 |
| 公開(公告)號: | CN101546702A | 公開(公告)日: | 2009-09-30 |
| 發明(設計)人: | 蔡世華;徐茂平;陳衍光 | 申請(專利權)人: | 友達光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/00 | 分類號: | H01L21/00;H01J37/32;H01L37/02 |
| 代理公司: | 隆天國際知識產權代理有限公司 | 代理人: | 馮志云;鄭特強 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 等離子體 處理 裝置 及其 絕緣 蓋板 | ||
1.一種等離子體處理裝置,包括:
一腔室;
一下電極板,配置于該腔室內;
一上電極板,配置于該腔室內,并位于該下電極板上方;
一電源,電性連接至該上電極板與該下電極板;
一支撐框架,配置于該腔室內,并位于該下電極板與該上電極板之間;
一絕緣蓋板,配置于該支撐框架與該下電極板之間,該絕緣蓋板包括:
一中央蓋板,具有一主體部以及一凸緣部,其中該主體部具有多個
第一氣孔,用以供該氣體通過,而該凸緣部環繞該主體部;和
多個側蓋板,分別具有一圓角以及一承靠面,其中各側蓋板與其余側蓋板其中的兩個側蓋板相鄰,且各側蓋板通過該圓角而鄰靠于該中央蓋板的該主體部旁,各側蓋板的該承靠面則承靠于該中央蓋板的該凸緣部;以及
一氣體供應單元,連接至該腔室,用以使所供應的氣體依序經過該支撐框架的開口或多個氣孔及該絕緣蓋板的第一氣孔進入至該腔室內。
2.如權利要求1所述的等離子體處理裝置,其中各側蓋板的該承靠面為平面。
3.如權利要求1所述的等離子體處理裝置,其中各側蓋板的該承靠面呈階梯狀。
4.如權利要求1所述的等離子體處理裝置,其中各側蓋板的該承靠面位于該中央蓋板的該凸緣部與該下電極板之間。
5.如權利要求1所述的等離子體處理裝置,其中該中央蓋板的該凸緣部位于各側蓋板的該承靠面與該下電極板之間。
6.如權利要求1所述的等離子體處理裝置,其中該支撐框架呈十字形,并對應至所述多個側蓋板的拼接處。
7.如權利要求1所述的等離子體處理裝置,其中該氣體供應單元用以使所供應的氣體依序經過該支撐框架的開口及該絕緣蓋板的第一氣孔進入至該腔室內,且該開口對應至該中央蓋板上的所述多個第一氣孔。
8.如權利要求1所述的等離子體處理裝置,其中該絕緣蓋板的材質包括陶瓷。
9.如權利要求1所述的等離子體處理裝置,其中該支撐框架的材質包括金屬。
10.一種絕緣蓋板,適用于一等離子體處理裝置,該絕緣蓋板包括:
一中央蓋板,具有一主體部以及一凸緣部,其中該主體部具有多個第一氣孔,而該凸緣部環繞該主體部;以及
多個側蓋板,分別具有一圓角以及一承靠面,其中各側蓋板與其余側蓋板其中的兩個側蓋板相鄰,且各側蓋板通過該圓角而鄰靠于該中央蓋板的該主體部旁,各側蓋板的該承靠面則承靠于該中央蓋板的該凸緣部。
11.如權利要求10所述的絕緣蓋板,其中各側蓋板的該承靠面為平面。
12.如權利要求10所述的絕緣蓋板,其中各側蓋板的該承靠面呈階梯狀。
13.如權利要求10所述的絕緣蓋板,其材質包括陶瓷。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





