[發(fā)明專利]橫向電場型液晶顯示器裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910140905.8 | 申請日: | 2009-05-12 |
| 公開(公告)號: | CN101581855A | 公開(公告)日: | 2009-11-18 |
| 發(fā)明(設計)人: | 鈴木照晃 | 申請(專利權)人: | NEC液晶技術株式會社 |
| 主分類號: | G02F1/1343 | 分類號: | G02F1/1343 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 | 代理人: | 張成新 |
| 地址: | 日本神*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 橫向 電場 液晶顯示器 裝置 | ||
技術領域
本發(fā)明涉及一種液晶顯示器(LCD)裝置,且更具體地,涉及一種諸如 平面轉換(In-Plane?Switching)(IPS)型之類的橫向電場型的有源矩陣尋址 LCD裝置。
背景技術
通常,LCD裝置具有諸如輪廓小、重量輕和低能耗的特性。特別地, 利用有源元件驅動垂直和水平設置在矩陣陣列中的各像素的有源矩陣尋 址LCD裝置被認為是高圖像質量的平板顯示裝置。特別地,使用薄膜晶 體管(TFTs)作為用于切換各個像素的有源元件的有源矩陣尋址LCD裝置 已經(jīng)廣為流行。
多數(shù)有源矩陣尋址LCD裝置使用由兩個基板夾在中間的TN (Twisted?Nematic,扭曲向列)類型的液晶材料的電光效應,通過橫跨液 晶材料施加近似垂直于基板的主表面的電場,從而使所述材料的液晶分子 位移來顯示圖像。這些LCD裝置被稱作“垂直電場”類型。另一方面, 一些有源矩陣尋址LCD裝置通過橫跨液晶材料施加近似平行于基板的 主表面的電場,從而使所述材料的液晶分子在與主表面平行的平面中位移 來顯示圖像。這些LCD裝置也已公知,被稱作“橫向電場”類型。不僅 對垂直電場類型的LCD裝置而且也對橫向電場型的LCD設備進行了多 種改進。下面將舉例說明對后者的一些改進。
例如,在1974年公告的專利文獻1(即美國專利No.3,807,831)中公 開了在橫向電場型LCD裝置中使用彼此匹配的梳齒狀電極的電極結構 (參見權利要求1,圖1到4和圖11)。
在1988公開的專利文獻2(即日本經(jīng)審查的專利公開No.63-21907)中 公開了在利用TN類型液晶材料的電光效應的有源矩陣尋址LCD裝置中采 用用于降低公共電極和漏極總線之間的或者公共電極和柵極總線之間的 寄生電容的彼此匹配的梳齒狀電極的電極結構(參見權利要求1,圖7和圖 9-13)。
在1995年公布的專利文獻3(即日本未經(jīng)審查專利公開No.7-036058 號)(參見權利要求1和5,圖1到圖23)公開了在使用TFTs的有源矩 陣尋址LCD裝置中實現(xiàn)產(chǎn)生橫向電場的技術。利用這種技術,以一種方 式,公共電極與圖像信號電極或公共電極與液晶驅動電極分別形成在相互 不同的層上,所述方式使得絕緣膜介于它們之間,并且同時,公共電極或 液晶驅動電極被形成為環(huán)形、交叉形、T形、∏形、H形、或梯子形。
此外,在1998年公開的專利文獻4(即日本未經(jīng)審查公開No. 10-307295)中公開了降低傾斜可見中的顯示屏著色現(xiàn)象的技術(參見權利 要求5,圖4和6),其中用于產(chǎn)生橫向電場的電極彎曲以形成彎曲部,從 而在施加電場的狀態(tài),有意使液晶分子的驅動(旋轉)方向隨著所述電極的 彎曲部而在各個區(qū)域中相互不同。
圖1和2示出在專利文獻4中公開的橫向電場型LCD裝置的結構的 例子。圖1為這種LCD裝置的有源矩陣的俯視圖,并且圖2為沿圖1中 的線II-II的這種LCD裝置的剖面圖。由于所有的像素區(qū)域具有相同的結 構,這兩個圖顯示了其中的像素區(qū)域之一的結構。
在圖1和2所示的相關技術的LCD裝置的有源矩陣基板上,以重復 彎曲的方式,柵極總線155形成為沿圖1的橫向(水平)方向延伸,且漏 極總線156形成為沿圖1的縱向(垂直)方向延伸,從而在由柵極總線155 和漏極總線156限定的各個區(qū)域中形成像素區(qū)域。這些像素區(qū)域沿著圖1 的橫向和縱向方向設置,以形成矩陣陣列。此外,公共總線152形成為與 柵極總線155平行。公共總線152中的一條位于靠近橫向設置成矩陣的一 行的像素區(qū)域的上端位置,另一條公共總線152位于靠近相同像素區(qū)域的 下端位置。因此,兩條公共總線152指定給每個像素區(qū)域。薄膜晶體管(TFT) 145形成為靠近柵極總線155和漏極總線156的各個交叉位置。每個像素 區(qū)域包括一個TFT?145。
如圖1所示,在各個像素區(qū)域中,柵極總線155和公共總線152為直 的,而漏極總線156彎曲成V-形。每個像素區(qū)域也彎曲成V-形。
在每個像素區(qū)域中形成像素電極171和公共電極172,像素電極171 和公共電極172中的每個用作用于產(chǎn)生液晶驅動電場的液晶驅動電極。像 素電極171和公共電極172由透明導電材料制成。
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