[發明專利]半導體裝置及半導體裝置的制造方法有效
| 申請號： | 200910140902.4 | 申請日： | 2009-05-12 |
| 公開（公告）號： | CN101582411A | 公開（公告）日： | 2009-11-18 |
| 發明（設計）人： | 原田剛史;柴田潤一;植木彰 | 申請（專利權）人： | 松下電器產業株式會社 |
| 主分類號： | H01L23/532 | 分類號： | H01L23/532;H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 | 代理人： | 李貴亮 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 裝置 制造 方法 | ||
1.一種半導體裝置，其特征在于，具備：
半導體基板；
在所述半導體基板之上形成的第一層間絕緣膜；
在所述第一層間絕緣膜內形成的第一配線；
在所述第一層間絕緣膜之上及所述第一配線之上形成的襯墊絕緣膜；
在所述襯墊絕緣膜之上形成的第二層間絕緣膜；
在所述第二層間絕緣膜內形成的第二配線；
形成于所述襯墊絕緣膜內及所述第二層間絕緣膜內且將所述第一配 線和所述第二配線電連接的過孔；
在形成于相鄰的所述第一配線之間的空隙內形成的氣隙，
所述襯墊絕緣膜為下層的第一襯墊絕緣膜與上層的第二襯墊絕緣膜 的層疊膜，
在所述空隙的底面及側壁形成有所述第二襯墊絕緣膜，
在過孔周邊區域形成的所述襯墊絕緣膜的膜厚比在所述第一配線之 上及所述第一層間絕緣膜之上的所述過孔周邊區域的外側形成的所述襯 墊絕緣膜的膜厚厚。
2.一種半導體裝置，其特征在于，具備：
半導體基板；
在所述半導體基板之上形成的第一層間絕緣膜；
在所述第一層間絕緣膜內形成的第一配線；
在所述第一層間絕緣膜之上及所述第一配線之上形成的襯墊絕緣膜；
在所述襯墊絕緣膜之上形成的第二層間絕緣膜；
在所述第二層間絕緣膜內形成的第二配線；
形成于所述襯墊絕緣膜內及所述第二層間絕緣膜內且將所述第一配 線和所述第二配線電連接的過孔，
在過孔周邊區域形成的所述襯墊絕緣膜的膜厚比在所述第一配線之 上及所述第一層間絕緣膜之上的所述過孔周邊區域的外側形成的所述襯 墊絕緣膜的膜厚厚，
當將相鄰的所述第一配線的間隔的最小值設為d時，在所述過孔周邊 區域的外側形成的所述襯墊絕緣膜中，在相鄰的所述第一配線的間隔為2d 以上的部分上形成的所述襯墊絕緣膜比在相鄰的所述第一配線的間隔不 足2d的部分上形成的所述襯墊絕緣膜厚。
3.根據權利要求2所述的半導體裝置，其特征在于，
所述襯墊絕緣膜為下層的第一襯墊絕緣膜與上層的第二襯墊絕緣膜 的層疊膜。
4.一種半導體裝置，其特征在于，具備：
半導體基板；
在所述半導體基板之上形成的第一層間絕緣膜；
在所述第一層間絕緣膜內形成的第一配線；
在所述第一層間絕緣膜之上及所述第一配線之上形成的襯墊絕緣膜；
在所述襯墊絕緣膜之上形成的第二層間絕緣膜；
在所述第二層間絕緣膜內形成的第二配線；
形成于所述襯墊絕緣膜內及所述第二層間絕緣膜內且將所述第一配 線和所述第二配線電連接的過孔，
在過孔周邊區域形成的所述襯墊絕緣膜的膜厚比在所述第一配線之 上及所述第一層間絕緣膜之上的所述過孔周邊區域的外側形成的所述襯 墊絕緣膜的膜厚厚，
在所述第一層間絕緣膜的上表面中所述過孔周邊區域的外側存在有 所述第一配線的寬度變化的、所述第一配線彎曲的或所述第一配線分支的 第一部分，
在所述過孔周邊區域的外側形成的所述襯墊絕緣膜中，在所述第一部 分上形成的所述襯墊絕緣膜比在所述第一部分以外的部分上形成的所述 襯墊絕緣膜厚。
5.根據權利要求4所述的半導體裝置，其特征在于，
所述襯墊絕緣膜為下層的第一襯墊絕緣膜與上層的第二襯墊絕緣膜 的層疊膜。
6.根據權利要求1、3、5中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，
所述第一襯墊絕緣膜未在所述過孔周邊區域的外側形成。
7.根據權利要求1、3、5中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，
所述第一襯墊絕緣膜的拉伸彈性模量為40GPa以上。
8.根據權利要求1、3、5中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，
所述第二襯墊絕緣膜的相對介電常數為4.5以下。
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