[發(fā)明專利]形成半導體器件的柵極的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910140778.1
• 申請日: 2009-05-15
• 公開（公告）號: CN101604628A
• 公開（公告）日: 2009-12-16
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 車韓燮
• 申請（專利權(quán)）人: 美格納半導體有限會社
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L21/336
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 蔡勝有;吳亦華

1.一種用于形成半導體器件的三柵極的方法，所述方法包括：

在襯底上形成緩沖層和硬掩模；

蝕刻所述硬掩模和所述緩沖層以形成硬掩模圖案和緩沖圖案；

利用所述硬掩模圖案作為蝕刻阻擋層，通過氣相蝕刻工藝部分地蝕刻 所述襯底而在所述襯底內(nèi)形成間隔開的第一和第二溝槽；

在所述第一和第二溝槽的內(nèi)表面上形成鈍化層；

部分蝕刻所述硬掩模圖案，以使得所述硬掩模圖案的兩側(cè)與所述第一 和第二溝槽的兩個邊緣對準；

部分蝕刻所述緩沖圖案，以使得所述緩沖圖案的兩側(cè)與所述第一和第 二溝槽的兩個邊緣對準；

形成掩埋絕緣層以填充所述第一和第二溝槽；

移除所述硬掩模圖案和所述緩沖圖案；

使得所述掩埋絕緣層的一部分凹陷，從而部分暴露出所述第一和第二 溝槽的內(nèi)壁；

在所述第一溝槽和所述第二溝槽之間的所述襯底上形成柵極絕緣層；

形成導電層以覆蓋所述柵極絕緣層；和

蝕刻所述導電層以形成部分覆蓋所述掩埋絕緣層的柵電極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中使用氯化氫(HCI)或氯氣(Cl₂) 實施所述氣相蝕刻工藝。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中在約600℃～約1100℃的溫度下實 施所述氣相蝕刻工藝。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中在約0.01托～約760托的壓力下實 施所述氣相蝕刻工藝。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述鈍化層通過氧化工藝或沉積工 藝形成。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述鈍化層包括形成厚度為約 ～約的熱氧化物層。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述硬掩模圖案包括氮化物層，所 述緩沖圖案包括氧化物層。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中使用磷酸溶液部分蝕刻所述硬掩模 圖案，使用緩沖氧化物蝕刻劑(BOE)或稀釋的HF(DHF)部分蝕刻所 述緩沖圖案。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述掩埋絕緣層包括高密度等離子體 (HDP)層或未摻雜的硅酸鹽玻璃(USG)層。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述掩埋絕緣層的形成包括：

沉積掩埋絕緣層以填充所述第一和第二溝槽；和

使用所述硬掩模圖案作為拋光停止層來拋光所述掩埋絕緣層。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述襯底包括支撐襯底、掩埋絕緣 層和半導體襯底。