[發明專利]一種應用于硅太陽電池的恒溫擴散工藝有效
| 申請號： | 200910140461.8 | 申請日： | 2009-05-15 |
| 公開（公告）號： | CN101552308A | 公開（公告）日： | 2009-10-07 |
| 發明（設計）人： | 邵愛軍;郭建東;馬春哲 | 申請（專利權）人： | 江陰浚鑫科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18;H01L21/22 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 | 代理人： | 魏忠暉 |
| 地址： | 214443江蘇省江陰*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 應用于 太陽電池 恒溫 擴散 工藝 | ||
【權利要求書】：
1.一種應用于硅太陽電池的恒溫擴散工藝，其特征在于，包含以下步驟：
a.將硅片放入擴散爐中，升溫至工藝溫度850℃；
b.通源1：通以工藝氣體大氮10L/min，小氮1L/min，氧氣3L/min，時間為15min；
c.恒溫推結：工藝氣體為大氮10L/min，時間為8min；
d.通源2：工藝氣體仍為大氮10L/min，小氮2L/min，氧氣2.2L/min，時間為10min；
e.擴散爐降溫，取出硅片；
所述大氮流量在5L/min以上，表示方法N2，所述小氮流量在2L/min以下，表示方法N2-POCl3。
2.一種應用于硅太陽電池的恒溫擴散工藝，其特征在于，包含以下步驟：
a.將硅片放入擴散爐中，升溫至工藝溫度850℃；
b.通源1：通以工藝氣體大氮10L/min，小氮1L/min，氧氣3L/min，時間為15min；
c.通源2：工藝氣體仍為大氮10L/min，小氮2L/min，氧氣2.2L/min，時間為10min；
d.恒溫推結：工藝氣體為大氮10L/min，時間為8min；
e.擴散爐降溫，取出硅片；
所述大氮流量在5L/min以上，表示方法N2，所述小氮流量在2L/min以下，表示方法N2-POCl3。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
