[發明專利]圖案化的方法以及用于圖案化的堆疊結構

有效

• 申請號: 200910139945.0
• 申請日: 2009-07-15
• 公開（公告）號: CN101957560A
• 公開（公告）日: 2011-01-26
• 發明（設計）人: 賴識翔;蘇國輝;王敏吉;梁碩瑋;姜信銓
• 申請（專利權）人: 臺灣薄膜電晶體液晶顯示器產業協會;中華映管股份有限公司;友達光電股份有限公司;瀚宇彩晶股份有限公司;奇美電子股份有限公司;財團法人工業技術研究院
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;H01L21/336;H01L31/18;H01L21/82
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

技術領域

本發明涉及一種圖案化的方法及用于圖案化的堆疊結構。

背景技術

目前在液晶顯示器(LCD)制作過程中，薄膜晶體管陣列(TFT?array)制作工藝仍是采用傳統集成電路(IC)產業的真空鍍膜、黃光顯影、與蝕刻等制作工藝。而隨著面板尺寸的不斷增加，真空鍍膜方式將有制作工藝設備成本過高與合格率下降的問題，相比較于傳統的物理氣相沉積方式所需的高成本，噴墨打印(Ink-Jet?Printing，IJP)制作工藝近來引起相當多的重視。

噴墨打印技術在平面顯示器(FPD)制作工藝成本上有下列的優勢：(1)大幅節省了傳統薄膜晶體管液晶顯示器(TFT?LCD)制作工藝如薄膜沉積、黃光、光刻、蝕刻中所需購置的巨額設備和維護費用。(2)相比較于旋涂(Spin-coating)制作工藝，IJP有圖案化能力(約數十微米)與較佳材料利用率。(3)傳統黃光光刻制作工藝在更改產品設計時，需更改一整套光掩模的設計，而噴墨打印技術僅需進行程序和控制參數(Recipe)調變，即可因應不同產品的噴印需求。

雖然，噴墨打印技術相比較傳統制作工藝具上述優點，但其圖案化能力僅約30～60微米以上，無法符合高解析的需求。

發明內容

本發明實施例提供一種圖案化的方法，可使用高能光束以提高圖案的解析度。

本發明實施例提供一種圖案化的方法，在欲以高能光束熔損的薄膜上多沉積一層覆蓋層(Cover?layer)，使其減緩高能光束能量對薄膜材料的影響，以改善薄膜的型態、平整性與圖案的精確性。

本發明實施例提供一種用于高能光束圖案化的堆疊結構，其減緩高能光束能量對薄膜材料的影響，以改善薄膜的平整性與圖案的精確性。

本發明實施例提出一種圖案化的方法，包括在基板上提供待圖案化的第一薄膜，接著，在第一薄膜上形成覆蓋層，此覆蓋層的材料與第一薄膜的材料相異。之后，以光束熔損覆蓋層與第一薄膜，以形成圖案化的覆蓋層與圖案化的第一薄膜。其后，再選擇性移除圖案化的覆蓋層。

本發明實施例又提出一種圖案化的堆疊結構，包括第一薄膜與覆蓋層。第一薄膜為待圖案化層。覆蓋層，覆蓋于第一薄膜上，其材料與第一薄膜的材料相異。

本發明實施例的圖案化的方法，使用高能光束以提高圖案的解析度。并且，本發明提供一種用于高能光束圖案化的堆疊結構，在欲以高能光束熔損的薄膜上多沉積一層覆蓋層(Cover?layer)，使其減緩高能光束能量對薄膜材料的影響，以改善薄膜的型態、平整性與圖案的精確性。

為讓本發明的上述特征和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合所附附圖作詳細說明如下。

附圖說明

圖1A至圖1C-1是依照本發明一實施例所繪示的一種圖案化的方法。

圖2A至圖2C-1是依照本發明另一實施例所繪示的一種圖案化的方法。

圖3A至圖3C是依照本發明實施例所繪示的一種下柵極結構下接觸式的薄膜晶體管的制造方法的剖面示意圖。

圖3A-1至圖3C-1是依照本發明實施例所繪示的一種下柵極結構上接觸式的薄膜晶體管的制造方法的剖面示意圖。

圖3A-2至圖3C-2是依照本發明實施例所繪示的一種上柵極結構上接觸式的薄膜晶體管的制造方法的剖面示意圖。

圖3A-3至圖3C-3是依照本發明實施例所繪示的一種上柵極結構下接觸式的薄膜晶體管的制造方法的剖面示意圖。

圖4A至圖4C是依照本發明另一實施例所繪示的一種太陽能電池的制造方法的剖面流程示意圖。

主要元件符號說明

10、110、200：基板

12、12a、18：薄膜

14、14a、114、114a、214、214a：覆蓋層

16、116、216：高能光束

30、130、230：光掩模

112、112a：柵極

118：介電層

120：源極接觸層

122：漏極接觸層

124：間隙

126：有源層

202：透明電極

204：第一導電型層

206：本質層

208：第二導電型層

210：抗反射層

212：金屬層

具體實施方式