[發明專利]等離子體處理裝置的腔室內部件的溫度控制方法、腔室內部件和基板載置臺、以及具備它的等離子體處理裝置

有效

• 申請號: 200910139870.6
• 申請日: 2009-07-07
• 公開（公告）號: CN101625952A
• 公開（公告）日: 2010-01-13
• 發明（設計）人: 輿水地鹽;巖田學;松土龍夫
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01J37/02
• 分類號: H01J37/02;G05D23/00;H01J37/20;H01J37/32
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司
• 代理人: 龍 淳

1.一種腔室內部件的溫度控制方法，該腔室內部件在對被處理基板進行等離子體處理的等離子體處理裝置內使用，其特征在于：

在所述腔室內部件設置多個供電部，通過所述供電部供給電力并進行加熱，并且測定所述腔室內部件的電阻值或者電阻率，基于由所述電阻值或者電阻率推測的所述腔室內部件的溫度控制所述電力，

所述腔室內部件，是在所述等離子體處理裝置的腔室內與等離子體接觸，位于所述被處理基板附近的部件。

2.如權利要求1所述的腔室內部件的溫度控制方法，其特征在于：

所述腔室內部件為在被處理基板周邊配置的一個或者多個環狀部件。

3.如權利要求2所述的腔室內部件的溫度控制方法，其特征在于：

所述環狀部件為在兩端部設置有供電部的C型形狀或者分割為兩部分的形狀。

4.如權利要求1～3中任一項所述的腔室內部件的溫度控制方法，其特征在于：

從所述多個供電部選擇一組電極供電，接著選擇另一組電極供電，通過對此加以重復，按照使電流在所述腔室內部件中均勻地流通的方式進行控制，對面內均勻地加熱。

5.一種等離子體處理裝置，其在腔室內使用高頻電力將處理氣體等離子體化，利用該等離子體對載置在載置臺上的被處理基板進行處理，其特征在于，包括：

設置有等離子體處理中使用的多個供電部的腔室內部件；

對所述供電部供給電力的電源部；

測定所述腔室內部件的電阻值和/或電阻率的電阻測定部；和

基于由所述電阻值或者電阻率推測的所述腔室內部件的溫度控制所述電力的電流控制部，

所述腔室內部件，是在所述等離子體處理裝置的腔室內與等離子體接觸，位于所述被處理基板附近的部件。

6.如權利要求5所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

所述腔室內部件為配置在被處理基板周邊的一個或者多個環狀部件。

7.如權利要求6所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

所述環狀部件為在兩端部設置有供電部的C型形狀或者分割為兩部分的形狀。

8.如權利要求5～7中任一項所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

具備控制機構，其從所述多個供電部選擇一組電極供電，接著，選擇另一組電極供電，通過對此加以重復，使電流在所述腔室內部件中均勻地流通。