[發明專利]由差分電路元件陣列構成的可調節的電組件

有效

• 申請號: 200910139861.7
• 申請日: 2009-07-03
• 公開（公告）號: CN101626222A
• 公開（公告）日: 2010-01-13
• 發明（設計）人: M·穆薩維
• 申請（專利權）人: 阿爾特拉公司
• 主分類號: H03H11/02
• 分類號: H03H11/02;H03K19/094;H03K19/0185;H01L29/94;H03L7/099;H03L7/08
• 代理公司: 北京紀凱知識產權代理有限公司
• 代理人: 趙蓉民

技術領域

本發明涉及可調節的電組件，并且更具體地，涉及由差 分電路元件陣列構成的可調節的電組件。

背景技術

通常期望生產具有可調節的電路組件的集成電路。例如， 可能期望生產數控的可變電容器或數控的電流源。例如這樣的組件可 以用于調節復雜的模擬和數字電路的操作。

可調節的電路元件的準確操作對更復雜電路的恰當操作 是必要的。例如，可能關鍵的是可調節的電容器或電流源關于其控制 輸入具有高度線性。不準確的可調節的電路元件可使得嵌入有這些可 調節的電路元件的電路發生故障。

因此，期望能夠提供改進的可調節的電路元件。

發明內容

根據本發明，可以提供可調節的電路組件，例如可調節 的電容器和可調節的電流源。可調節的電路組件可以由并聯連接的差 分電路元件的陣列構成。差分電路元件可以是例如差分電容器和差分 電流源的電路元件。

每個差分電路元件均可以包括第一和第二器件，例如第 一和第二電容器或第一和第二電流源。第一和第二電容器的電容可以 是不同的并且由第一和第二電流源產生的電流的大小可以是不同的。 在給定的可調節的電路組件內，第一器件可以具有公共值，例如公共 電容或公共電流源強度并且第二器件可以具有公共值，例如公共電容 或公共電流源強度。

在每個差分電路元件中的第一和第二開關可以被用于選 擇性地切換所述元件中的第一器件或第二器件進入使用。每個差分電 路元件均可以具有控制輸入端，在該控制輸入端接收控制信號。每個 差分電路元件中的逆變器可以轉換控制信號。控制信號可以控制第一 開關并且轉換后的控制信號可以控制第二開關。

每個差分電路元件的陣列中的差分電路元件可以并聯連 接在第一端子和第二端子之間。溫度計碼控制信號可以被提供到控制 輸入端以調節電容、電流或與可調節的電路組件關聯的其他參數。

可調節的電路元件可以用于調節電路的操作，所述電路 例如為環形振蕩器電路和鎖相環電路。

本發明進一步的特征、本發明的本質以及各種優點將通 過附圖和以下優選實施例的詳細說明變得更加清楚。

附圖說明

圖1是根據本發明的實施例的基于單端逆變器和數控電 容器的回路的示例性數控振蕩器的圖示；

圖2是根據本發明的實施例的基于差分逆變器和數控電 容器的回路的示例性數控振蕩器的圖示；

圖3是根據本發明的實施例的可以使用數控振蕩器和數 控電容器的示例性的數字鎖相環的圖示；

圖4是根據本發明的實施例的n溝道金屬氧化物半導體 晶體管的圖示；

圖5是根據本發明的實施例由n溝道金屬氧化物半導體 晶體管構成的電容器的圖示；

圖6是根據本發明的實施例由p溝道金屬氧化物半導體 晶體管構成的電容器的圖示；

圖7是根據本發明的實施例由n溝道或p溝道金屬氧化 物半導體晶體管構成的電容器的圖示；

圖8是根據本發明的實施例由n溝道金屬氧化物半導體 晶體管構成的示例性集成電路電容器的橫截面側視圖；

圖9是根據本發明的實施例基于增大值的獨立可選擇的 電容器的陣列的可調節電容器的圖示；

圖10是根據本發明的實施例的示例性電容器值的表格， 所述電容器值可以用于圖9中所示類型的電容器陣列中的電容器；

圖11是示出根據本發明實施例的示例性的獨熱(one-hot) 數字控制字的表格，所述控制字用于控制由圖9所示類型的電容器陣 列構成的數字電容器；

圖12是示出根據本發明實施例的另一個示例性的獨熱數 字控制字的表格，所述控制字用于控制由圖9所示類型的電容器陣列 構成的數字電容器；

圖13是根據本發明的實施例的示例性德耳塔(delta，Δ) 電容器的圖示；

圖14是根據本發明實施例的由圖13所示類型的德耳塔 電容器陣列構成的示例性可調節的電容器的圖示；

圖15是根據本發明實施例的示例性的電容器值的表格， 所述電容器值可以用于德耳塔電容器陣列中的電容器；