[發(fā)明專利]氮化物半導(dǎo)體基板及氮化物半導(dǎo)體基板的加工方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910138981.5 | 申請日： | 2006-08-16 |
| 公開（公告）號： | CN101562128A | 公開（公告）日： | 2009-10-21 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 西浦隆幸;目崎義雄 | 申請（專利權(quán)）人： | 住友電氣工業(yè)株式會社 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02;H01L23/544;H01L33/00;H01S5/00;C30B29/40 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 | 代理人： | 李香蘭 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 氮化物 半導(dǎo)體 加工 方法 | ||
1.一種氮化物半導(dǎo)體基板的加工方法，其中，
包括：準備圓盤狀的氮化物半導(dǎo)體基板的工序，該圓盤狀的氮化物半導(dǎo)體基板具備多個條紋區(qū)域，該多個條紋區(qū)域具有晶體缺陷密度高于周圍的低缺陷區(qū)域的缺陷集中區(qū)域；
以所述多個條紋區(qū)域中的至少一個延伸的方向為基準，在所述氮化物半導(dǎo)體基板的緣的規(guī)定位置形成切口的工序。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化物半導(dǎo)體基板的加工方法，其中，
所述切口是定向平面。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的氮化物半導(dǎo)體基板的加工方法，其中，
采用切片鋸形成所述定向平面。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化物半導(dǎo)體基板的加工方法，其中，
所述切口是槽口。
5.一種氮化物半導(dǎo)體基板，其是具有圓弧狀的緣的氮化物半導(dǎo)體基板，其中，
具備：多個條紋區(qū)域，其具有晶體缺陷密度高于周圍的低缺陷區(qū)域的缺陷集中區(qū)域；
定向平面，其設(shè)在該氮化物半導(dǎo)體基板的緣上，并與所述多個條紋區(qū)域中的至少一個延伸的方向?qū)嶋H上呈直角延伸。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的氮化物半導(dǎo)體基板，其中，
所述定向平面設(shè)在解理面上。
7.一種氮化物半導(dǎo)體基板，其是具有圓弧狀的緣的氮化物半導(dǎo)體基板，其中，
具備：多個條紋區(qū)域，其具有晶體缺陷密度高于周圍的低缺陷區(qū)域的缺陷集中區(qū)域；
槽口，其設(shè)在該氮化物半導(dǎo)體基板的緣上，
所述槽口位于沿著所述多個條紋區(qū)域中的至少一個延伸的方向經(jīng)過該氮化物半導(dǎo)體基板的中心的直線上。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于住友電氣工業(yè)株式會社，未經(jīng)住友電氣工業(yè)株式會社許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/200910138981.5/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
