[發(fā)明專利]一種LED芯片的非接觸式檢測(cè)方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910138900.1
• 申請(qǐng)日: 2007-08-03
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101581756A
• 公開(kāi)（公告）日: 2009-11-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李平;文玉梅;文靜;李戀
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 重慶大學(xué)
• 主分類號(hào): G01R31/26
• 分類號(hào): G01R31/26;G01M11/02;G01J1/42
• 代理公司: 重慶弘旭專利代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 周韶紅

本申請(qǐng)是申請(qǐng)日為2007年8月3日、申請(qǐng)?zhí)枮?00710092521.4、發(fā)明名稱為“一種LED芯片/晶圓的非接觸式檢測(cè)方法”的發(fā)明專利申請(qǐng)的分案申請(qǐng)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種LED芯片/晶圓的檢測(cè)方法，特別是一種用于未封裝的單個(gè)LED芯片或者有多個(gè)LED芯片的晶圓的非接觸式檢測(cè)方法。

背景技術(shù)

LED(Light?Emitting?Diode)以其固有的特點(diǎn)，如省電、壽命長(zhǎng)、耐震動(dòng)，響應(yīng)速度快、冷光源等特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于指示燈、信號(hào)燈、顯示屏、景觀照明等領(lǐng)域，但是由于種種原因LED照明還不能普及化，其中價(jià)格昂貴是制約LED照明光源普及化的主要因素，而LED芯片的封裝是LED成品生產(chǎn)的主要成本源，只有提高封裝后的成品率，才能降低LED產(chǎn)品的生產(chǎn)成本，這樣封裝前的芯片檢測(cè)就是LED批量生產(chǎn)的一項(xiàng)必要的工藝程序。

美國(guó)發(fā)明專利US006670820B2公開(kāi)了一種用于半導(dǎo)體材料及器件電致發(fā)光特性檢測(cè)的方法和儀器。其檢測(cè)原理是在LED芯片的上下表面施加激發(fā)光，使PN結(jié)結(jié)構(gòu)中的p區(qū)和n區(qū)中產(chǎn)生非平衡載流子；再在p區(qū)和n區(qū)之間施加一正向偏置的電壓，形成牽引電場(chǎng)，吸引p區(qū)的空穴和n區(qū)的電子向中間的有源區(qū)運(yùn)動(dòng)，然后在有源區(qū)發(fā)生輻射復(fù)合，產(chǎn)生復(fù)合發(fā)光，所加偏置電壓低于LED的導(dǎo)通門(mén)限，對(duì)非平衡載流子即電子-空穴對(duì)的產(chǎn)生影響較小，可以忽略；用光接收器件如光電二極管接收芯片有源區(qū)的復(fù)合發(fā)光，再結(jié)合激發(fā)光的強(qiáng)度和芯片的吸收系數(shù)，計(jì)算出光生載流子的濃度，結(jié)合有源區(qū)的復(fù)合發(fā)光量和實(shí)際光注入并到達(dá)有源區(qū)的載流子濃度，就可以定量分析出所測(cè)LED芯片的電致發(fā)光性能。該檢測(cè)屬于芯片級(jí)檢測(cè)，并且需要直接接觸芯片施加偏置電壓。

中國(guó)發(fā)明專利申請(qǐng)02123646.1公開(kāi)了一種LED外延片電致發(fā)光無(wú)損檢測(cè)方法。該發(fā)明公布為進(jìn)行電致發(fā)光檢測(cè)，在外延片表面安置兩個(gè)電極，其一為固定的負(fù)電極(接電源負(fù)極)，其二為正電極，將一高壓恒流源加在兩個(gè)電極之間，通過(guò)將正電極在表面上移動(dòng)完成整個(gè)外延片發(fā)光質(zhì)量的檢測(cè)，得到外延片整片的電致發(fā)光質(zhì)量。通過(guò)該方法還可以得到正向?qū)妷?、反向漏電流等?duì)于LED外延片而言非常重要的電學(xué)參數(shù)。另外，中國(guó)發(fā)明專利申請(qǐng)01112096.7公開(kāi)了一種半導(dǎo)體基片品質(zhì)評(píng)價(jià)的方法和裝置。用一種激發(fā)光斷續(xù)照射待測(cè)半導(dǎo)體基片表面，從而誘發(fā)半導(dǎo)體基片的光致發(fā)光，將基片的光致發(fā)光強(qiáng)度轉(zhuǎn)變?yōu)殡娦盘?hào)，再由接收及檢測(cè)器件接收并檢測(cè)。通過(guò)外延片的光致發(fā)光平均強(qiáng)度的變化得到光致發(fā)光的衰減時(shí)間常數(shù)，從而準(zhǔn)確地評(píng)價(jià)半導(dǎo)體基片中的雜質(zhì)和缺陷。這兩個(gè)專利都是針對(duì)LED外延片進(jìn)行的檢測(cè)。

中國(guó)發(fā)明專利200510034935.2公開(kāi)了一種發(fā)光二極管的自動(dòng)化測(cè)試系統(tǒng)及方法。該測(cè)試裝置可以測(cè)試封裝完成后的LED成品的電流電壓的電性參數(shù)，閘流和光學(xué)參數(shù)。

中國(guó)實(shí)用新型專利02265834.3公開(kāi)的發(fā)光二極管平均發(fā)光強(qiáng)度測(cè)試儀和中國(guó)發(fā)明專利02136269.6公開(kāi)的發(fā)光二極管平均發(fā)光強(qiáng)度的測(cè)量裝置則主要針對(duì)LED的發(fā)光光度進(jìn)行測(cè)試。這幾種檢測(cè)技術(shù)都是針對(duì)LED成品進(jìn)行檢測(cè)。

可以看到，目前已有的LED檢測(cè)方法及設(shè)備主要用于LED外延層檢測(cè)和成品檢測(cè)。而對(duì)于LED芯片的檢測(cè)，由于檢測(cè)探針必須要接觸芯片，容易造成芯片的污染甚至損壞，且測(cè)試探針本身為易耗件，增加了生產(chǎn)成本，因此較難為L(zhǎng)ED大批量生產(chǎn)過(guò)程接受采用。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種不直接接觸芯片的LED芯片/晶圓的檢測(cè)方法，它能在LED芯片封裝前，LED晶圓切割前，不接觸LED芯片/晶圓本身而快速地檢測(cè)LED芯片/晶圓的功能狀態(tài)和性能參數(shù)。