[發(fā)明專利]框架式陶瓷覆銅板及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910138611.1 | 申請日: | 2009-04-30 |
| 公開(公告)號: | CN101877318A | 公開(公告)日: | 2010-11-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 江文忠;吳耿忠;謝英基;呂政剛;傅銘煌 | 申請(專利權(quán))人: | 赫克斯科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/48 | 分類號: | H01L21/48;H01L23/15;H01L23/13;H01L23/48 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇;王璐 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 框架 陶瓷 銅板 及其 制造 方法 | ||
1.一種框架式陶瓷覆銅板的制造方法,其特征在于,包括步驟:
提供一表面被覆銅層的陶瓷基板;
提供一陶瓷框體,該陶瓷框體具有多個凸伸于底面的定位凸部;
蝕刻該陶瓷基板的銅層以形成一預(yù)定圖案,該預(yù)定圖案包括多個分別與各該定位凸部相配合的定位凹部;
將該陶瓷框體置于該陶瓷基板的銅層上,并通過所述定位凸部與所述定位凹部相配合將該陶瓷框體定位;及
進行熱處理,使該陶瓷框體與該陶瓷基板的銅層接合。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的框架式陶瓷覆銅板的制造方法,其特征在于,該預(yù)定圖案還包括導(dǎo)電線路。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的框架式陶瓷覆銅板的制造方法,其特征在于,該陶瓷框體為方形、圓形或多邊形。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的框架式陶瓷覆銅板的制造方法,其特征在于,該陶瓷框體的材質(zhì)為氧化鋁、氮化鋁或氧化鈦。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的框架式陶瓷覆銅板的制造方法,其特征在于,蝕刻該陶瓷基板的銅層以形成一預(yù)定圖案的步驟還包括先在該銅層被覆一感光膜,經(jīng)由曝光顯影而在該銅層上定義該預(yù)定圖案的位置。
6.一種框架式陶瓷覆銅板,包括:一陶瓷基板及一被覆于該陶瓷基板上并具有一預(yù)定圖案的銅層,其特征在于,該框架式陶瓷覆銅板還包括一陶瓷框體,且該陶瓷框體的底面與該銅層接合。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的框架式陶瓷覆銅板,其特征在于,該預(yù)定圖案包括多個定位凹部,且該陶瓷框體具有多個凸伸于底面的定位凸部,各該定位凸部對應(yīng)設(shè)于各該定位凹部內(nèi)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的框架式陶瓷覆銅板,其特征在于,該預(yù)定圖案還包括導(dǎo)電線路。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的框架式陶瓷覆銅板,其特征在于,該陶瓷框體以熱處理直接與該銅層接合。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的框架式陶瓷覆銅板,其特征在于,該陶瓷框體為方形、圓形或多邊形。
11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的框架式陶瓷覆銅板,其特征在于,該陶瓷框體的材質(zhì)為氧化鋁、氮化鋁或氧化鈦。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





