[發(fā)明專(zhuān)利]利用受控剪切區(qū)域的膜的層轉(zhuǎn)移有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200910138229.0 | 申請(qǐng)日: | 2009-05-07 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN101577296A | 公開(kāi)(公告)日: | 2009-11-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 弗蘭喬斯·J·亨利 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 硅源公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L31/18 | 分類(lèi)號(hào): | H01L31/18;H01L21/78 |
| 代理公司: | 北京康信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 | 代理人: | 李丙林;張 英 |
| 地址: | 美國(guó)加利*** | 國(guó)省代碼: | 美國(guó);US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 利用 受控 剪切 區(qū)域 轉(zhuǎn)移 | ||
1.一種用于裂開(kāi)材料膜的方法,所述方法包括:
提供襯底,所述襯底具有表面和下面的裂開(kāi)區(qū)域;
沿垂直于所述表面的方向施加具有預(yù)定能量的熱源,以 在所述裂開(kāi)區(qū)域與所述表面之間形成加熱材料體積,加熱材料 的體積呈現(xiàn)出基本均勻的溫度分布,接著在所述裂開(kāi)區(qū)域處溫 度急劇下降;以及
在所述裂開(kāi)區(qū)域處使所述膜從所述襯底裂開(kāi)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,在絕熱過(guò)程中,施加所述 熱源來(lái)加熱所述材料體積。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,所述預(yù)定能量是可調(diào)節(jié)的, 以確定所述材料體積的尺寸和所述溫度急劇下降的深度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,所述溫度急劇下降是 10℃/μm或更大。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,所述熱源包括在真空環(huán)境 中施加的多個(gè)電子,所述真空環(huán)境具有在10-4至10-6Torr之間 的壓力。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法,其中,所述真空有助于所述裂開(kāi)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,所述裂開(kāi)包括利用選自熱 源、冷源、電源、機(jī)械源、或化學(xué)源的能量源引發(fā)所述裂開(kāi)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,所述裂開(kāi)進(jìn)一步包括利用 選自熱源、冷源、電源、機(jī)械源、或化學(xué)源的能量源擴(kuò)展所述 裂開(kāi)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,進(jìn)一步包括將選自氫離子類(lèi)或其 同位素的粒子注入到所述襯底表面中,以沉積在所述裂開(kāi)區(qū)域 中。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法,其中,所述粒子僅被注入到所述 裂開(kāi)區(qū)域的一部分中。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法,其中,所述粒子的劑量在所述裂 開(kāi)區(qū)域的一部分中較高。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,作為電子束施加所述熱源。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,以脈沖方式施加所述熱源。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,以?huà)呙璺绞绞┘铀鰺嵩础?
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,所述溫度急劇下降在所述 裂開(kāi)區(qū)域處導(dǎo)致受控剪切。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,所述熱源是光子源。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法,其中,所述光子源包括激光。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法,其中,所述光子源包括閃光燈。
19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法,其中,所述光子源是脈沖源。
20.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,所述熱源被局部施加。
21.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,所述熱源被全面施加。
22.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,所述裂開(kāi)的至少一部分在 真空環(huán)境下進(jìn)行。
23.一種從襯底裂開(kāi)膜的方法,所述方法包括:
提供襯底,所述襯底具有限定在表面與一深度之間的頂 部區(qū)域;
在長(zhǎng)時(shí)間段內(nèi)將正熱能施加至所述表面,以在所述深度 處形成均勻的熱環(huán)境;以及
在短時(shí)間段內(nèi)將負(fù)熱能施加至所述表面,以在所述深度 處形成溫度梯度并且在所述頂部區(qū)域中形成拉伸應(yīng)力,從而在 所述頂部區(qū)域與下面襯底之間的應(yīng)力對(duì)比使得所述頂部區(qū)域 從所述襯底裂開(kāi)。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的方法,其中:
所述襯底在所述深度處設(shè)置有裂開(kāi)區(qū)域;并且
局部地施加所述正熱能和負(fù)熱能,以引起靠近所述裂開(kāi) 區(qū)域的所述頂部區(qū)域的進(jìn)一步裂開(kāi)。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專(zhuān)門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專(zhuān)門(mén)適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過(guò)該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





