[發(fā)明專利]顯示設(shè)備、顯示設(shè)備的驅(qū)動方法及電子器械

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910138209.3
• 申請日: 2009-05-08
• 公開（公告）號: CN101577085A
• 公開（公告）日: 2009-11-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 富田昌嗣;淺野慎
• 申請（專利權(quán)）人: 索尼株式會社
• 主分類號: G09G3/30
• 分類號: G09G3/30;G09G3/32;G09G3/20;H04N5/225;G06F1/16;H04M1/02
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所
• 代理人: 彭久云

技術(shù)領(lǐng)域

總體上，本發(fā)明涉及顯示設(shè)備、為顯示設(shè)備提供的驅(qū)動方法及采用該顯示設(shè)備的電子器械。特別是，本發(fā)明涉及具有平面面板的顯示設(shè)備，該平面面板采用設(shè)置為二維的像素電路以形成矩陣作為每個都包括電光裝置的像素，并且涉及為驅(qū)動該顯示設(shè)備而提供的方法以及采用該顯示設(shè)備的電子器械。

背景技術(shù)

近年來，在顯示圖像的顯示設(shè)備領(lǐng)域中，平板型的顯示設(shè)備已經(jīng)變得高速流行，該平板型的顯示設(shè)備采用二維布置的像素電路以形成矩陣作為像素電路，像素電路的每一個都包括電光裝置作為發(fā)光裝置。平板顯示設(shè)備的每一個像素電路中的電光裝置是所謂電流驅(qū)動型的發(fā)光裝置，其中發(fā)光裝置所發(fā)射光的亮度根據(jù)流過該裝置的驅(qū)動電流的大小而變化。采用每個都包括所謂電流驅(qū)動型發(fā)光裝置的像素電路的平板顯示設(shè)備的示例為采用每個都包括有機(jī)EL(電致發(fā)光)裝置用作發(fā)光裝置的像素的有機(jī)EL顯示設(shè)備。有機(jī)EL顯示設(shè)備采用每一個都具有有機(jī)EL裝置的像素電路，每個有機(jī)EL裝置都利用這樣的現(xiàn)象，其中，當(dāng)電場施加給有機(jī)EL裝置的有機(jī)薄膜時，產(chǎn)生光。

采用每一個都包括有機(jī)EL裝置用作電光裝置的像素電路的有機(jī)EL顯示設(shè)備具有下面的特點。有機(jī)EL裝置具有低功耗，這是因為即使該裝置施加由設(shè)定在不超過10V的低位電壓驅(qū)動，該裝置也能操作。另外，因為有機(jī)EL裝置是自發(fā)光裝置，所以與液晶顯示設(shè)備相比，該光所產(chǎn)生的圖像顯現(xiàn)出高度的可識別性，液晶顯示設(shè)備根據(jù)對采用在每個像素電路中的液晶的操作以控制由已知背光的光源產(chǎn)生光的亮度顯示圖像。另外，因為有機(jī)EL顯示設(shè)備不要求諸如背光的照明構(gòu)件，所以該設(shè)備可以易于制得輕和薄。而且，因為有機(jī)EL裝置具有約幾微秒的非常短的響應(yīng)時間，所以顯示期間不產(chǎn)生殘留圖像。

與液晶顯示設(shè)備很相似，有機(jī)EL顯示設(shè)備可以采用簡單(無源)或者有源矩陣法作為其驅(qū)動方法。然而，即使采用無源矩陣法的顯示設(shè)備具有簡單的結(jié)構(gòu)，電光裝置的發(fā)光周期也隨著掃描線數(shù)量(即像素電路的數(shù)量)的增加而減少。有機(jī)EL顯示設(shè)備出現(xiàn)的問題在于難于實現(xiàn)大尺寸和高清晰度。

由于上述原因，近年來廣泛開發(fā)采用有源矩陣法的顯示設(shè)備。根據(jù)有源矩陣法，用于控制驅(qū)動電流流過電光裝置的有源裝置提供在與電光裝置相同的像素電路中。有源裝置的示例是絕緣柵型場效晶體管。絕緣柵型場效晶體管通常為TFT(薄膜晶體管)。在采用有源矩陣法的顯示設(shè)備中，每個電光裝置都能在一幀的整個周期中保持發(fā)光狀態(tài)。因此，易于實現(xiàn)大尺寸和高清晰度的采用有源矩陣法的顯示設(shè)備。

附帶地，I-V特性是代表施加給裝置的電壓與作為所施加電壓結(jié)果的流過裝置的驅(qū)動電流之間關(guān)系的特性，有機(jī)EL裝置顯示的I-V特性通常認(rèn)為隨著時間的流逝而退化。隨著時間的流逝而退化也稱為隨時間降級。在采用N溝道型的TFT的像素電路中，作為包括在像素電路中用于產(chǎn)生流到有機(jī)EL裝置的驅(qū)動電流的驅(qū)動晶體管，TFT的源極電極連接到有機(jī)EL裝置。因此，由于有機(jī)EL裝置顯示出的I-V特性的隨時間降級，施加在裝置驅(qū)動晶體管的柵極和源極電極之間的電壓Vgs發(fā)生改變，結(jié)果，有機(jī)EL裝置發(fā)射光的亮度也隨之改變。在下面的描述中，技術(shù)術(shù)語“裝置驅(qū)動晶體管”用意為產(chǎn)生流到有機(jī)EL裝置的驅(qū)動電流的TFT。

以上的描述更具體地說明如下。呈現(xiàn)在裝置驅(qū)動晶體管的源柵上的電位由裝置驅(qū)動晶體管和有機(jī)EL裝置的操作點確定。由于有機(jī)EL裝置的I-V特性的隨時間降級，裝置驅(qū)動晶體管和有機(jī)EL裝置的操作點也不合時宜地改變。因此，施加給裝置驅(qū)動晶體管的柵極電極的電壓保持不變，呈現(xiàn)在裝置驅(qū)動晶體管的源柵上的電位也改變。也就是，施加在裝置驅(qū)動晶體管的柵極和源極電極之間的電壓Vgs改變。因此，流過裝置驅(qū)動晶體管的驅(qū)動電流也隨之改變。結(jié)果，流過有機(jī)EL裝置的驅(qū)動電流也改變，從而即使施加給裝置驅(qū)動晶體管的柵極電極的電壓保持不變，有機(jī)EL裝置發(fā)射光的亮度也變化。

另外，在采用多晶硅TFT作為裝置驅(qū)動晶體管的像素電路中，除了有機(jī)EL裝置的I-V特性的隨時間降級，裝置驅(qū)動晶體管的閾值電壓Vth和組成裝置驅(qū)動晶體管中的溝道的半導(dǎo)體薄膜的遷移率μ也由于隨時間降級而改變。在下面的描述中，組成裝置驅(qū)動晶體管中的溝道的半導(dǎo)體薄膜的遷移率μ簡稱為裝置驅(qū)動晶體管的遷移率μ。另外，表示裝置驅(qū)動晶體管的特性的閾值電壓Vth和遷移率μ也因制造工藝上的變化而從像素到像素地改變。就是說，裝置驅(qū)動晶體管的特性從像素到像素地變化。