[發(fā)明專(zhuān)利]實(shí)現(xiàn)金剛石膜球冠制備過(guò)程中基體均溫的裝置無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200910138097.1 | 申請(qǐng)日: | 2008-06-11 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN101580932A | 公開(kāi)(公告)日: | 2009-11-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 左敦穩(wěn);李多生;盧文壯;陳榮發(fā);孫業(yè)斌 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 南京航空航天大學(xué) |
| 主分類(lèi)號(hào): | C23C16/27 | 分類(lèi)號(hào): | C23C16/27;C23C16/52 |
| 代理公司: | 南京天華專(zhuān)利代理有限責(zé)任公司 | 代理人: | 瞿網(wǎng)蘭 |
| 地址: | 210016*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 實(shí)現(xiàn) 金剛石 膜球冠 制備 過(guò)程 基體 裝置 | ||
1.一種實(shí)現(xiàn)金剛石膜球冠制備過(guò)程中基體均溫的裝置,包括銅質(zhì)基座(6),銅質(zhì)基座(6)的上表面與沉積基體(1)的下表面相接觸,所述的銅質(zhì)基座(6)為一中空的結(jié)構(gòu),其中安裝有循環(huán)水分配體(2),循環(huán)水分配體(2)上設(shè)有進(jìn)水孔(3)和出水孔(4),在銅質(zhì)基座(6)和循環(huán)水分配體(2)之間形成有冷卻水腔(5),冷卻水腔(5)的與沉積基體(1)相接觸的底壁或呈階梯結(jié)構(gòu)或呈球面結(jié)構(gòu),且底壁的厚度分布與沉積基體上表面溫度分布成反比,即沉積基體上表面溫度越高的區(qū)域,其對(duì)應(yīng)處的壁厚越小,其特征是所述的冷卻水腔(5)的底壁設(shè)有五個(gè)等寬的圓環(huán)狀階梯,五個(gè)圓環(huán)狀階梯的高度分別為h1=0.0004R+1.3563,h2=-0.0001R2+0.0046R+1.8674,h3=-0.0051R+2.8717,h4=-0.0027R+3.9076,h5=0.0001R2-0.0118R+5.1713,其中R為沉積體表面曲率半徑;沉積基體(1)的表面為上凸形,h1是指銅質(zhì)基座(6)底壁中心的第一臺(tái)階面離銅質(zhì)基座(6)上表面的距離,h2是指緊鄰第一臺(tái)階面的第二臺(tái)階面離銅質(zhì)基座(6)上表面的距離,h3是指緊鄰第二臺(tái)階面的第三臺(tái)階面離銅質(zhì)基座(6)上表面的距離,h4是指緊鄰第三臺(tái)階面的第四臺(tái)階面離銅質(zhì)基座(6)上表面的距離,h5是指緊鄰第四臺(tái)階面的第五臺(tái)階面離銅質(zhì)基座(6)上表面的距離。
2.一種實(shí)現(xiàn)金剛石膜球冠制備過(guò)程中基體均溫的裝置,包括銅質(zhì)基座(6),銅質(zhì)基座(6)的上表面與沉積基體(1)的下表面相接觸,所述的銅質(zhì)基座(6)為一中空的結(jié)構(gòu),其中安裝有循環(huán)水分配體(2),循環(huán)水分配體(2)上設(shè)有進(jìn)水孔(3)和出水孔(4),在銅質(zhì)基座(6)和循環(huán)水分配體(2)之間形成有冷卻水腔(5),冷卻水腔(5)的與沉積基體(1)相接觸的底壁或呈階梯結(jié)構(gòu)或呈球面結(jié)構(gòu),且底壁的厚度分布與沉積基體上表面溫度分布成反比,即沉積基體上表面溫度越高的區(qū)域,其對(duì)應(yīng)處的壁厚越小,其特征是所述的冷卻水腔(5)的底壁設(shè)有五個(gè)等寬的圓環(huán)狀階梯,五個(gè)圓環(huán)狀階梯的高度分別為h1=0.0004R+1.3563,h2=-0.0001R2+0.0046R+1.8674,h3=-0.0051R+2.8717,h4=-0.0027R+3.9076,h5=0.0001R2-0.0118R+5.1713,其中R為沉積體表面曲率半徑;沉積基體(1)的表面為下凹形,h1是指銅質(zhì)基座(6)底壁最外圓的第一臺(tái)階面離銅質(zhì)基座(6)上表面的距離,h2是指緊鄰第一臺(tái)階面的第二臺(tái)階面離銅質(zhì)基座(6)上表面的距離,h3是指緊鄰第二臺(tái)階面的第三臺(tái)階面離銅質(zhì)基座(6)上表面的距離,h4是指緊鄰第三臺(tái)階面的第四臺(tái)階面離銅質(zhì)基座(6)上表面的距離,h5是指緊鄰第四臺(tái)階面的第五臺(tái)階面離銅質(zhì)基座(6)上表面的距離。
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C23C16-00 通過(guò)氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時(shí)基體上,例如在隨后通過(guò)浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無(wú)機(jī)材料為特征的
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