[發明專利]薄膜晶體管及其制造方法

無效

• 申請號: 200910136929.6
• 申請日: 2009-04-28
• 公開（公告）號: CN101656270A
• 公開（公告）日: 2010-02-24
• 發明（設計）人: 鄭現中;金民圭;鄭棕翰;牟然坤
• 申請（專利權）人: 三星移動顯示器株式會社
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L29/06;H01L29/12;H01L21/336
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司
• 代理人: 郭鴻禧;劉奕晴

1、一種薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括：

柵極；

有源層，與柵極疊置并具有接觸區域和比所述接觸區域厚的剩余區域；

源極和漏極，與接觸區域接觸。

2、如權利要求1所述薄膜晶體管，其中，接觸區域的厚度為剩余區域的厚度的10％到90％。

3、如權利要求1所述薄膜晶體管，其中，有源層包含氧化物半導體。

4、如權利要求3所述薄膜晶體管，其中，有源層包含具有低于10¹⁸/cm³的電子載流子密度的非晶氧化物。

5、如權利要求4所述薄膜晶體管，其中，非晶氧化物包含從由下述氧化物組成的組中選擇的至少一種，所述氧化物包括：包含In、Zn和Sn的氧化物；包含In、Zn和Ga的氧化物；或包含由從Li、Na、Mn、Ni、Pd、Cu、Cd、C、N、P、Ti、Zr、Hf、V、Ru、Ge、Sn和F組成的組中選擇的至少一種的氧化物。

6、如權利要求1所述薄膜晶體管，其中，所述薄膜晶體管具有底柵結構。

7、如權利要求6所述薄膜晶體管，其中，源極和漏極與有源層的接觸區域直接接觸。

8、如權利要求1所述薄膜晶體管，所述薄膜晶體管還包括設置在剩余區域上的蝕刻停止層。

9、如權利要求1所述薄膜晶體管，所述薄膜晶體管還包括形成在有源層下面的界面穩定層，所述界面穩定層包含帶隙與有源層的帶隙相等或帶隙大于有源層的帶隙的氧化物。

10、一種制造薄膜晶體管的方法，包括如下步驟

在基板上形成柵極；

在柵極上形成柵絕緣層；

在柵絕緣層上形成有源層；

將有源層圖案化，以在有源層中形成接觸區域，接觸區域比有源層的剩余區域薄；

在接觸區域上形成源極和漏極。

11、如權利要求10所述的方法，其中：

有源層包含氧化物半導體；

將有源層圖案化的步驟包括利用半色調掩膜。

12、如權利要求10所述的方法，所述方法還包括：在將有源層圖案化的步驟之前，在剩余區域上形成蝕刻停止層。

13、如權利要求12所述的方法，其中：

形成有源層的步驟包括將有源層形成為具有均勻的厚度；

將有源層圖案化的步驟包括過蝕刻所述蝕刻停止層以形成接觸區域。

14、如權利要求10所述的方法，其中，將有源層圖案化的步驟包括將接觸區域的厚度相對剩余區域的厚度減小10％到90％。

15、如權利要求10所述的方法，所述方法還包括：在形成有源層的步驟之前，形成界面穩定層，所述界面穩定層包含帶隙與有源層的帶隙相等或帶隙大于有源層的帶隙的氧化物。

16、如權利要求15所述的方法，其中，形成界面穩定層的步驟包括使用物理沉積方法。