[發明專利]多層式封裝基板及其制法、可發光半導體的封裝結構

有效

• 申請號: 200910136221.0
• 申請日: 2009-04-29
• 公開（公告）號: CN101877333A
• 公開（公告）日: 2010-11-03
• 發明（設計）人: 江文忠;吳耿忠;謝英基;呂政剛;傅銘煌
• 申請（專利權）人: 赫克斯科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/13
• 分類號: H01L23/13;H01L23/14;H01L23/498;H01L21/48;H01L21/60;H01L33/00
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;王璐

1.一種多層式封裝基板，其特征在于，該多層式封裝基板包括：一第一積層單元及一第二積層單元；該第一積層單元包括一第一陶瓷層及一第一銅層，該第一銅層被覆于該第一陶瓷層的一表面，并具有一第一圖案；該第二積層單元設于該第一積層單元上，該第二積層單元包括一第二陶瓷層及一第二銅層，該第二陶瓷層位于該第一銅層與該第二銅層之間，該第二銅層具有一第二圖案，且該第二積層單元還包括至少一穿孔，通過該穿孔使部分該第一銅層由該穿孔露出。

2.根據權利要求1所述的多層式封裝基板，其特征在于，該第一積層單元的面積大于該第二積層單元，且該第一銅層部分露出于該第二積層單元覆蓋的區域外。

3.根據權利要求1所述的多層式封裝基板，其特征在于，該第一積層單元還包括一被覆于該第一陶瓷層的另一表面的背面銅層。

4.根據權利要求1或2或3所述的多層式封裝基板，其特征在于，該多層式封裝基板還包括一設于該穿孔中并與該第一銅層電連接的導電塊。

5.根據權利要求4所述的多層式封裝基板，其特征在于，該導電塊為銅塊。

6.根據權利要求1所述的多層式封裝基板，其特征在于，該穿孔位于設有該第二銅層的區域中。

7.根據權利要求1所述的多層式封裝基板，其特征在于，該第一積層單元與該第二積層單元由熱處理直接接合。

8.一種多層式封裝基板的制法，其特征在于，該多層式封裝基板的制法包括：

制備一第一積層單元，步驟包括：

提供一被覆有一第一銅層的第一陶瓷層；及

圖案化該第一銅層，以形成一第一圖案及多個第一定位部；

制備一第二積層單元，步驟包括：

提供一兩面分別被覆有一第二銅層及一底面銅層的第二陶瓷層；

圖案化該第二銅層，以形成一第二圖案；

圖案化該底面銅層，以形成分別與所述第一定位部相對應的多個第二定位部；及

切割該第二陶瓷層，以形成至少一穿孔，且該穿孔對應于該第一銅層的部分區域；及

通過所述第一定位部與所述第二定位部相配合，將該第一積層單元與該第二積層單元相對定位，并進行熱處理，使該第一積層單元與該第二積層單元接合固定。

9.根據權利要求8所述的多層式封裝基板的制法，其特征在于，相對應的各該第一定位部為凹槽且各該第二定位部為凸塊。

10.根據權利要求8所述的多層式封裝基板的制法，其特征在于，相對應的各該第一定位部與各該第二定位部分別為凹槽，且通過一陶瓷制或銅制的定位柱相對定位。

11.根據權利要求8所述的多層式封裝基板的制法，其特征在于，該第一積層單元與該第二積層單元接合后，部分該第一銅層由該穿孔露出。

12.根據權利要求11所述的多層式封裝基板的制法，其特征在于，該多層式封裝基板的制法還包括制備一導電塊，以及將該導電塊電連接于該第一銅層的步驟，該導電塊通過該穿孔與該第一銅層相接。

13.根據權利要求12所述的多層式封裝基板的制法，其特征在于，該導電塊為銅塊，且于該熱處理步驟中與該第一銅層接合。

14.根據權利要求8所述的多層式封裝基板的制法，其特征在于，該第一陶瓷層的另一面還被覆有一背面銅層。

15.一種可發光半導體的封裝結構，其特征在于，該可發光半導體的封裝結構包括：一根據權利要求1或2或3所述的多層式封裝基板，及一可發光半導體晶粒；該可發光半導體晶粒固設于該穿孔中的該第一銅層，并具有一第一電極與該第一銅層電連接，及一第二電極以打線方式與該第二銅層電連接。

16.一種可發光半導體的封裝結構，其特征在于，該可發光半導體的封裝結構包括：一根據權利要求4或5所述的多層式封裝基板，及一可發光半導體晶粒；該可發光半導體晶粒固設于該導電塊，并具有一第一電極與該導電塊電連接，及一第二電極以打線方式與該第二銅層電連接。