[發(fā)明專利]影像顯示系統(tǒng)及顯示面板的制造方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200910136186.2 | 申請(qǐng)日: | 2009-05-05 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN101728414A | 公開(kāi)(公告)日: | 2010-06-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 廖奕琪;林士堯;魏麗真 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 統(tǒng)寶光電股份有限公司;技迪科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/32 | 分類號(hào): | H01L27/32;G02F1/1333 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 | 代理人: | 彭久云 |
| 地址: | 中國(guó)臺(tái)灣新*** | 國(guó)省代碼: | 中國(guó)臺(tái)灣;71 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 影像 顯示 系統(tǒng) 面板 制造 方法 | ||
1.一種影像顯示系統(tǒng),包含:
顯示面板,該顯示面板包括:
第一基板,具有第一外表面:
第二基板,具有第二外表面,該第二基板與該第一基板對(duì)向設(shè)置且 組裝后具有總厚度;以及
透明的壓克力系或環(huán)氧樹(shù)脂型高分子薄膜,覆蓋于該第一外表面與 該第二外表面上,
其中該總厚度經(jīng)由薄化工藝減薄產(chǎn)生,并且
其中該高分子薄膜的組成包括10-80重量百分比的寡聚物、10-50 重量百分比的反應(yīng)性稀釋單體及0.5-10重量百分比的光起始劑。
2.如權(quán)利要求1所述的影像顯示系統(tǒng),其中該第一外表面與該第二外表 面上具有缺陷,該缺陷包括點(diǎn)狀凹陷、刮傷、點(diǎn)狀突起或前述的組合。
3.如權(quán)利要求1所述的影像顯示系統(tǒng),還包括上偏光板及下偏光板分別 設(shè)置于該第一外表面及該第二外表上的該高分子薄膜上。
4.如權(quán)利要求1所述的影像顯示系統(tǒng),其中該高分子薄膜的厚度介于 1.5~10μm之間。
5.如權(quán)利要求1所述的影像顯示系統(tǒng),其中該總厚度為0.2-0.8mm。
6.如權(quán)利要求1所述的影像顯示系統(tǒng),進(jìn)一步包含電子裝置,該電子裝 置包含:
顯示器,該顯示器包含該顯示面板;以及
輸入單元,與該顯示器耦接,其中該輸入單元傳輸信號(hào)至該顯示器,以 使該顯示器顯示影像。
7.如權(quán)利要求6所述的影像顯示系統(tǒng),其中該電子裝置為移動(dòng)電話、數(shù) 字相機(jī)、個(gè)人數(shù)字助理、筆記型電腦、桌上型電腦、電視、車用顯示器或可 攜式DVD播放機(jī)。
8.一種顯示面板的制造方法,包括:
提供第一基板,具有第一外表面;
提供第二基板,具有第二外表面,該第二基板與該第一基板對(duì)向組裝后 具有第一總厚度;
對(duì)該第一基板和該第二基板進(jìn)行薄化工藝,使得該第一總厚度減薄,產(chǎn) 生第二總厚度;以及
提供壓克力系或環(huán)氧樹(shù)脂型高分子材料,涂布于該第一外表面和該第二 外表面上,形成透明的壓克力系或環(huán)氧樹(shù)脂型高分子薄膜,
其中該高分子薄膜的組成包括10-80重量百分比的寡聚物、10-50重量 百分比的反應(yīng)性稀釋單體及0.5-10重量百分比的光起始劑。
9.如權(quán)利要求8所述的顯示面板的制造方法,其中該薄化工藝包括蝕刻 工藝,且該第二總厚度較該第一總厚度減少至少20%。
10.如權(quán)利要求8所述的顯示面板的制造方法,其中于該薄化工藝的步驟 后,該第一外表面與該第二外表面上產(chǎn)生缺陷,該缺陷包括點(diǎn)狀凹陷、刮傷、 點(diǎn)狀突起或前述的組合,且該第一外表面與該第二外表面具有粗糙度大于 0.25μm,其中該缺陷的尺寸經(jīng)由該高分子薄膜覆蓋后減小,且該粗糙度降低 至少50%。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門(mén)適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門(mén)適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





