[發明專利]頂板

有效

• 申請號: 200910135779.7
• 申請日: 2003-05-30
• 公開（公告）號: CN101553074A
• 公開（公告）日: 2009-10-07
• 發明（設計）人: 石橋清隆;野澤俊久
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H05H1/46
• 分類號: H05H1/46;H01L21/3065
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司
• 代理人: 龍 淳;劉春成

1.一種頂板，其用于在處理容器內使高頻通過而生成等離子體， 該頂板的特征在于：

所述頂板由電介質構成，且在內部具有波反射部件，所述高頻在 所述頂板的內部傳播時，該波反射部件在該頂板內部反射所述高頻，

所述波反射部件被配置于從所述頂板的表背的至少一個表面凹陷 的凹部內部，在該凹部的變薄的部分的所述頂板的厚度為所述高頻在 所述頂板中傳播時的波長的1/2倍以下。

2.如權利要求1所述的頂板，其特征在于：

所述凹部為環狀。

3.一種頂板，其用于在處理容器內使高頻通過而生成等離子體， 該頂板的特征在于：

所述頂板由電介質構成，且在內部具有波反射部件，所述高頻在 所述頂板的內部傳播時，該波反射部件在該頂板內部反射所述高頻，

所述波反射部件被配置于從所述頂板的表背的至少一個表面凹陷 的凹部內部，且以劃分所述頂板的區域的方式設置，

所述波反射部件由導電體或高電介質構成的反射部件構成。

4.一種頂板，其用于在處理容器內使高頻通過而生成等離子體， 該頂板的特征在于：

所述頂板由電介質構成，且在內部具有波反射部件，所述高頻在 所述頂板的內部傳播時，該波反射部件在該頂板內部反射所述高頻，

所述波反射部件被配置于從頂板的表背的至少一個表面凹陷的凹 部且由與所述頂板不同的材料構成的反射部件而構成。

5.如權利要求4所述的頂板，其特征在于：

所述反射部件由導電體或高電介質構成。

6.一種頂板，其用于在處理容器內使高頻通過而生成等離子體， 該頂板的特征在于：

所述頂板由電介質構成，且在內部具有波反射部件，所述高頻在 所述頂板的內部傳播時，該波反射部件在該頂板內部反射所述高頻，

所述波反射部件被配置于從所述頂板的表背的至少一個表面凹陷 的凹部內部，

所述頂板被所述波反射部件劃分為同心狀，

所述波反射部件由導電體或高電介質構成的反射部件構成。

7.如權利要求1、3、4或6中任一項所述的頂板，其特征在于：

所述波反射部件配置在所述頂板的大致中央。

8.如權利要求1、3、4或6中任一項所述的頂板，其特征在于：

所述頂板中夾在相鄰的所述波反射部件彼此之間的部分的長度為 所述高頻在所述頂板中傳播時的波長的1/2倍以上。

9.如權利要求3或6所述的頂板，其特征在于：

所述波反射部件以將所述頂板的區域劃分為多重的方式設置。

10.一種頂板，其用于在處理容器內使高頻通過而生成等離子體， 該頂板的特征在于：

所述頂板由電介質構成，所述頂板包括厚的部分和薄的部分，

所述厚的部分和薄的部分由從所述頂板的下側表面或由上頂板和 下頂板構成的頂板的下頂板的上側表面凹陷的凹部而形成，

該凹部的所述薄的部分的厚度為所述高頻在所述頂板中傳播時的 波長的1/2倍以下。

11.如權利要求10所述的頂板，其特征在于：

該凹部的所述厚的部分和薄的部分在所述頂板的區域中以同心狀 形成。

12.一種頂板，其用于在處理容器內使高頻通過而生成等離子體， 該頂板的特征在于：

所述頂板由電介質構成，且在內部具有波反射部件，所述高頻在 所述頂板的內部傳播時，該波反射部件在該頂板內部反射所述高頻，

所述波反射部件被配置于從所述頂板的表背的至少一個表面凹陷 的凹部內部，在該凹部的變薄的部分的所述頂板的厚度為所述高頻在 所述頂板中傳播時的波長的1/4倍以下。