[發明專利]基底傳送盒無效
| 申請號: | 200910135473.1 | 申請日: | 2009-04-28 |
| 公開(公告)號: | CN101740437A | 公開(公告)日: | 2010-06-16 |
| 發明(設計)人: | 劉曉強 | 申請(專利權)人: | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/673 | 分類號: | H01L21/673;H01L21/677 |
| 代理公司: | 隆天國際知識產權代理有限公司 72003 | 代理人: | 姜燕;陳晨 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 基底 傳送 | ||
1.一種基底傳送盒,適用于在半導體晶片制造期間存放或傳送半導體晶片基底,該傳送盒包括:
一主體,包括多個側面,其中至少一側面包括一部分是由一半透膜所構成;以及
一門,提供半導體晶片進入及離開該傳送盒的路徑。
2.如權利要求1項所述的基底傳送盒,其中該半透膜包括多個孔隙,其最大直徑為0.01μm。
3.如權利要求1項所述的基底傳送盒,其中該半透膜包括孔隙,其直徑介于0.005μm至0.01μm。
4.如權利要求1項所述的基底傳送盒,其中由該半透膜所構成的該部分占該至少一側面的表面積的至少50%。
5.如權利要求1項所述的基底傳送盒,其中由該半透膜所構成的該部分大于該至少一側面的表面積的50%。
6.如權利要求1項所述的基底傳送盒,其中當該門關閉時,該半透膜允許腐蝕性氣體分子自該傳送盒擴散出來。
7.如權利要求1項所述的基底傳送盒,其中當該門關閉時,該半透膜避免微粒污染物進入該傳送盒。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





