[發(fā)明專利]相變化存儲(chǔ)元件及其形成方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200910134896.1 | 申請(qǐng)日： | 2009-04-15 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN101740716A | 公開(kāi)（公告）日： | 2010-06-16 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 陳達(dá);蔡銘進(jìn) | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 財(cái)團(tuán)法人工業(yè)技術(shù)研究院;力晶半導(dǎo)體股份有限公司;南亞科技股份有限公司;茂德科技股份有限公司;華邦電子股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L45/00 | 分類號(hào)： | H01L45/00;G11C11/56 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 | 代理人： | 陶鳳波 |
| 地址： | 中國(guó)臺(tái)*** | 國(guó)省代碼： | 中國(guó)臺(tái)灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 相變 存儲(chǔ) 元件 及其 形成 方法 | ||
1.一種相變化存儲(chǔ)元件，包含：
第一電極及第二電極；
相變化材料層，電性連結(jié)該第一電極及該第二電極；以及
至少二作為電性孤立導(dǎo)體的金屬間隙壁，形成于該第一電極及該第二電 極之間并與該第一電極及該第二電極分隔，且直接與該相變化材料層接觸， 其中該相變化材料層直接覆蓋每個(gè)電性孤立導(dǎo)體的除了底面之外的所有表 面。
2.如權(quán)利要求1所述的相變化存儲(chǔ)元件，其中該電性孤立導(dǎo)體除了與該 相變化材料層外并未與該相變化存儲(chǔ)元件的其它元件直接電性相連。
3.如權(quán)利要求1所述的相變化存儲(chǔ)元件，其中該第一電極及該第二電極 共平面。
4.如權(quán)利要求1所述的相變化存儲(chǔ)元件，其中該電性孤立導(dǎo)體并未與該 第一電極及該第二電極直接接觸。
5.如權(quán)利要求1所述的相變化存儲(chǔ)元件，其中該相變化材料層包含In、 Ge、Sb、Te、Ga、Sn或前述材料任意的混合物。
6.如權(quán)利要求1所述的相變化存儲(chǔ)元件，其中該第一電極及該第二電極 獨(dú)立且各自包含Al、W、Mo、Ti、TiN、TiAlN、TiW或TaN。
7.如權(quán)利要求1所述的相變化存儲(chǔ)元件，其中該電性孤立導(dǎo)體包含Al、 W、Mo、Ti、TiN、TiAlN、TiW或TaN。
8.如權(quán)利要求1所述的相變化存儲(chǔ)元件，其中該第一電極及該第二電極 由相同材料經(jīng)同一步驟所形成。
9.如權(quán)利要求1所述的相變化存儲(chǔ)元件，其中該相變化存儲(chǔ)元件包含柱 狀結(jié)構(gòu)。
10.如權(quán)利要求1所述的相變化存儲(chǔ)元件，其中該第一電極為下電極及 該第二電極為上電極。
11.如權(quán)利要求1所述的相變化存儲(chǔ)元件，其中該多個(gè)電性孤立導(dǎo)體通 過(guò)介電層所分離。
12.如權(quán)利要求1所述的相變化存儲(chǔ)元件，其中該電性孤立導(dǎo)體及相鄰 的該第一電極或該第二電極通過(guò)該相變化材料層所分隔。
13.如權(quán)利要求1所述的相變化存儲(chǔ)元件，其中該第一電極經(jīng)由第一金 屬栓與電子元件電性連結(jié)。
14.如權(quán)利要求1所述的相變化存儲(chǔ)元件，其中該第二電極經(jīng)由第二金 屬栓與位線電性連結(jié)。
15.一種相變化存儲(chǔ)元件，包含：
基底，具有形成于其上的介電層；
第一電極及第二電極，形成于該介電層上；
相變化材料層，電性連結(jié)該第一電極及該第二電極；
至少二作為電性孤立導(dǎo)體的金屬間隙壁，形成于該第一電極及該第二電 極間并與該第一電極及該第二電極分隔，且直接與該相變化材料層接觸，其 中該相變化材料層直接覆蓋每個(gè)電性孤立導(dǎo)體的除了底面之外的所有表面； 以及
導(dǎo)電層，經(jīng)由接觸栓與該第二電極電性相連。
16.如權(quán)利要求15所述的相變化存儲(chǔ)元件，其中該電性孤立導(dǎo)體除了與 該相變化材料層外并未與該相變化存儲(chǔ)元件的其它元件直接電性相連。
17.如權(quán)利要求15所述的相變化存儲(chǔ)元件，其中該第一電極及該第二電 極共平面。
18.如權(quán)利要求15所述的相變化存儲(chǔ)元件，其中該電性孤立導(dǎo)體并未與 該第一電極及該第二電極直接接觸。
19.如權(quán)利要求15所述的相變化存儲(chǔ)元件，其中該相變化材料層包含 In、Ge、Sb、Te、Ga、Sn或前述材料任意的混合物。
20.如權(quán)利要求15所述的相變化存儲(chǔ)元件，其中該第一電極及該第二電 極獨(dú)立且各自包含Al、W、Mo、Ti、TiN、TiAlN、TiW或TaN。
21.如權(quán)利要求15所述的相變化存儲(chǔ)元件，其中該電性孤立導(dǎo)體包含 Al、W、Mo、Ti、TiN、TiAlN、TiW或TaN。
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