[發明專利]元件搭載用基板、半導體組件及其制造方法及便攜式設備

有效

• 申請號: 200910134693.2
• 申請日: 2009-02-01
• 公開（公告）號: CN101540299A
• 公開（公告）日: 2009-09-23
• 發明（設計）人: 小林初;柳瀬康行;山本哲也;岡山芳央
• 申請（專利權）人: 三洋電機株式會社
• 主分類號: H01L23/12
• 分類號: H01L23/12;H01L23/48;H01L23/482;H01L21/48;H01L21/50;H01L21/58;H01L21/603
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 岳雪蘭

1.一種元件搭載用基板，其特征在于，具有：

絕緣樹脂層、

設置在所述絕緣樹脂層的一個主表面的配線層、以及

與所述配線層電連接且從所述配線層向所述絕緣樹脂層側突出的突起 電極，

在包含突起電極的中心軸的截面看，所述突起電極的側面向所述中心 軸方向彎曲，并且該側面的曲率半徑從配線層側端部到該突起電極的前端 側端部連續地變化，所述突起電極的整體形狀隨著從所述配線層側端部接 近所述前端側端部，該突起電極的直徑變細。

2.根據權利要求1所述的元件搭載用基板，其特征在于，

與所述配線層側端部及所述前端側端部的附近相比，所述側面的曲率 半徑在中央區域更小。

3.根據權利要求1所述的元件搭載用基板，其特征在于，

所述突起電極的頂部的直徑相對于基底部的直徑的比率為0.25～ 0.60。

4.根據權利要求1所述的元件搭載用基板，其特征在于，

與所述配線層延伸的一側的相反側的側面相比，所述配線層延伸的一 側的所述突起電極的側面的傾斜更平緩。

5.根據權利要求4所述的元件搭載用基板，其特征在于，

所述配線層延伸的一側的所述突起電極的側面，其曲率比所述相反側 的側面中的曲率大。

6.根據權利要求4所述的元件搭載用基板，其特征在于，

配線層延伸的一側的所述突起電極的側面中的、從前端側端部到配線 層側端部的在與突起電極的突出方向垂直的方向的距離，相對于所述相反 側的側面中的、從前端側端部到配線層側端部的在與突起電極的突出方向 垂直的方向的距離，比1.0倍大且為3.5倍以下。

7.根據權利要求4所述的元件搭載用基板，其特征在于，

所述突起電極位于如下區域，即俯視時為近似四邊形形狀的所述絕緣 樹脂層的周緣部中的至少角部區域。

8.根據權利要求1所述的元件搭載用基板，其特征在于，

在所述突起電極側面的規定范圍內設置有緊縮部。

9.根據權利要求8所述的元件搭載用基板，其特征在于，

還具有金屬層，該金屬層覆蓋所述突起電極的頂部面和所述突起電極 的側面中的自前端側端部至規定高度的部分。

10.根據權利要求9所述的元件搭載用基板，其特征在于，

所述緊縮部的突起電極前端側的端部位置與所述金屬層的配線層側的 端部位置一致。

11.根據權利要求9所述的元件搭載用基板，其特征在于，

所述緊縮部的突起電極前端側的端部位置與所述金屬層的配線層側的 端部位置不一致。

12.根據權利要求8所述的元件搭載用基板，其特征在于，

在所述緊縮部的表面形成微細凹凸，相比所述突起電極的頂部面，所 述緊縮部表面的表面粗糙度更大。

13.根據權利要求1所述的元件搭載用基板，其特征在于，

所述突起電極和所述配線層一體成型。

14.一種半導體組件，其特征在于，具有：

權利要求1至13中任一項所述的元件搭載用基板，和

設置有與所述突起電極對置的元件電極的半導體元件；

所述突起電極貫通所述絕緣樹脂層，且所述突起電極和所述元件電極 電連接。

15.一種元件搭載用基板的制造方法，其特征在于，包括如下工序：

形成突起電極的工序，在金屬板的一個主表面的規定區域設置掩模的 狀態下噴涂蝕刻液，在包含所述掩模的中心軸的截面看，該突起電極的側 面向所述中心軸方向彎曲并且所述側面的曲率半徑從金屬板側端部到前端 側端部連續地變化；

在形成有所述突起電極的一側的所述金屬板的主表面層疊絕緣樹脂層 的工序；以及

選擇地去除所述金屬板而形成配線層的工序。