[發(fā)明專利]半導(dǎo)體封裝構(gòu)造、半導(dǎo)體封裝構(gòu)造用載板及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910134552.0
• 申請日: 2009-04-13
• 公開（公告）號: CN101859733A
• 公開（公告）日: 2010-10-13
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 施孟鎧;黃東鴻;李長祺
• 申請（專利權(quán)）人: 日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/12
• 分類號: H01L23/12;H01L23/498;H01L23/488;H01L21/48;H01L21/60;H01L23/485
• 代理公司: 上海翼勝專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 31218
• 代理人: 翟羽

1.一種半導(dǎo)體封裝構(gòu)造用載板，其特征在于：在一載板上設(shè)置：

一電路層，形成在所述載板的一表面上；

一絕緣層，覆蓋在所述電路層上，且所述絕緣層形成數(shù)個開口，以裸露一部分的所述電路層；

數(shù)個焊墊，形成在所述開口內(nèi)的電路層上，且各所述焊墊凹設(shè)有一凹槽；及

數(shù)個焊料，分別形成在各所述焊墊的凹槽內(nèi)，并布滿各所述焊墊的上表面。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造用載板，其特征在于：所述載板選自一電路基板，及所述焊料做為一預(yù)焊料。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造用載板，其特征在于：所述焊墊的凹槽底部向下延伸至所述電路層的一凹陷部內(nèi)。

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造用載板，其特征在于：所述焊墊的凹槽底部向下貫穿通過所述電路層。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造用載板，其特征在于：所述載板的焊墊的相鄰間距小于160微米；以及所述載板的焊墊的上表面外徑小于80微米。

6.一種半導(dǎo)體封裝構(gòu)造用載板的制造方法，其特征在于：所述制造方法包含步驟：

提供一載板，其在一表面設(shè)有一電路層及一絕緣層，所述絕緣層覆蓋所述電路層并形成數(shù)個開口，以裸露一部分的所述電路層；

去除所述開口內(nèi)的電路層的至少一部分厚度；

形成一焊墊于各所述開口內(nèi)的電路層上，所述焊墊具有一凹槽；以及

在各所述焊墊的凹槽內(nèi)形成一焊料，并使所述焊料布滿各所述焊墊的上表面。

7.一種半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其特征在于：所述半導(dǎo)體封裝構(gòu)造包含：

一電路基板，其具有：

一第一電路層，形成在所述電路基板的一表面上；

一第一絕緣層，覆蓋在所述第一電路層上，且所述第一絕緣層形成數(shù)個第一開口，以裸露一部分的所述第一電路層，及；

數(shù)個第一焊墊，形成在所述第一開口內(nèi)的第一電路層上；

一芯片，其具有：

一第二電路層，形成在所述芯片的一有源表面上；

一第二絕緣層，覆蓋在所述第二電路層上，且所述第二絕緣層形成數(shù)個第二開口，以裸露一部分的所述第二電路層；及

數(shù)個第二焊墊，形成在所述第二開口內(nèi)的第二電路層上；以及

數(shù)個凸塊，連接于所述電路基板的第一焊墊及所述芯片的第二焊墊之間；其中所述第一焊墊及所述二焊墊的至少其中一方凹設(shè)有一凹槽，且所述凸塊的焊料填入所述凹槽內(nèi)。

8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其特征在于：所述第一焊墊設(shè)有所述凹槽，所述凹槽底部向下延伸至所述第一電路層的一凹陷部內(nèi)。

9.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其特征在于：所述第一焊墊設(shè)有所述凹槽，所述凹槽底部向下貫穿通過所述第一電路層。

10.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其特征在于：所述第一焊墊設(shè)有所述凹槽，所述第一焊墊的相鄰間距小于160微米；以及，所述第一載板的焊墊的上表面外徑小于80微米。

11.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其特征在于：所述第二焊墊設(shè)有所述凹槽，所述凹槽底部向下貫穿通過所述第二電路層。