[發(fā)明專利]微粒檢測(cè)方法及其裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910134313.5
• 申請(qǐng)日: 2009-04-10
• 公開（公告）號(hào): CN101859719A
• 公開（公告）日: 2010-10-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李振賢
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 奇景光電股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/66
• 分類號(hào): H01L21/66;H01L21/00;G01N27/22
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 史新宏

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明是有關(guān)于一種微粒檢測(cè)方法及其裝置，且特別是有關(guān)于一種在芯片上檢測(cè)微粒的方法及其裝置。

背景技術(shù)

隨著消費(fèi)性電子產(chǎn)品的發(fā)展，對(duì)于電子產(chǎn)品尺寸的要求越來(lái)越嚴(yán)格。導(dǎo)因于半導(dǎo)體制程的進(jìn)步，芯片尺寸可以達(dá)到納米(nano-meter)等級(jí)。然而，隨著芯片尺寸越小以及制程越精密，制程中所產(chǎn)生的微粒(particle)將會(huì)影響到電子產(chǎn)品良率以及電路特性。因此，在制程過(guò)程當(dāng)中，必須將存有微粒的電路檢測(cè)出來(lái)。

圖1為檢測(cè)芯片上微粒的示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D1，在一般的微粒檢測(cè)方法中，通常會(huì)施加電壓于芯片上其一引腳L1并量測(cè)相鄰之引腳L2上的電壓，來(lái)得知引腳L1與引腳L2之間的電阻性阻抗，進(jìn)而判斷兩引腳之間是否存在微粒。但是，實(shí)際上微粒不一定會(huì)與兩引腳接觸而呈現(xiàn)電阻性阻抗，也有可能形成非接觸性的電容性阻抗。

圖2為另一檢測(cè)芯片上微粒的示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D2，在此微粒檢測(cè)方法中，經(jīng)由施加電壓于其一引腳L1且量測(cè)相鄰之引腳L2上電壓隨時(shí)間變化的速度大小，可以判斷是否有微粒存在。然而，微粒所形成的電容性阻抗可能使引腳L1及引腳L2有正負(fù)極性之分。當(dāng)所施加的電壓不符合引腳L1或L2之極性時(shí)，便會(huì)量測(cè)不到微粒所形成的電容性阻抗。另外，在芯片內(nèi)部引腳也可能耦接具有極性的電子組件，例如：保護(hù)二極管以作靜電防護(hù)之用。當(dāng)所施加的電壓使電子組件作動(dòng)而漏電時(shí)，也會(huì)量測(cè)不到微粒所形成的電容性阻抗。因此，單向量測(cè)電容性阻抗容易造成檢測(cè)微粒失誤。

另一方面，為了檢測(cè)芯片上的微粒，通常會(huì)參考一臨界值與相鄰引腳L2上電壓進(jìn)行比較。也就是說(shuō)，經(jīng)由判斷受電阻性阻抗或電容性阻抗影響所量測(cè)到的電壓是否超過(guò)臨界值，可以得知是否存在微粒。然而，臨界值的設(shè)定常常需隨制程的不同而因應(yīng)改變，甚至在相同制程下受芯片內(nèi)不同電路之組件特性的影響，臨界值的設(shè)定也會(huì)有所不同。為了維持出廠的芯片的可用性，往往會(huì)設(shè)定嚴(yán)苛的臨界值，也因此容易會(huì)誤判芯片內(nèi)存有微粒而將良好電路檢測(cè)為不良電路，不僅造成時(shí)間與資源的浪費(fèi)，也降低了芯片的良率。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供一種微粒檢測(cè)方法及其裝置，其可以提高微粒檢測(cè)的準(zhǔn)確性，以及降低判斷微粒存在與否所參考的臨界值受不同制程或芯片內(nèi)電路特性的影響。

本發(fā)明提供一種微粒檢測(cè)方法。首先，提供脈沖電壓至多條引腳中第一引腳，并且經(jīng)取樣時(shí)間后擷取多條引腳中第二引腳上的第一取樣電壓，其中第二引腳相鄰第一引腳；接著，提供脈沖電壓至第二引腳并且經(jīng)取樣時(shí)間后量測(cè)第一引腳上的一第二取樣電壓；之后，依據(jù)多條引腳上多個(gè)取樣電壓的統(tǒng)計(jì)值，分別調(diào)整第一取樣電壓及第二取樣電壓至以預(yù)定電壓為基準(zhǔn)的第一偵測(cè)電壓及第二偵測(cè)電壓；最后，當(dāng)?shù)谝粋蓽y(cè)電壓或第二偵測(cè)電壓超出預(yù)定范圍時(shí)，則判斷第一引腳與第二引腳之間存有微粒。

本發(fā)明提供一種微粒檢測(cè)裝置，其包括電壓產(chǎn)生單元、電壓量測(cè)單元與處理單元。電壓產(chǎn)生單元在不同時(shí)間下分別提供脈沖電壓至多條引腳中第一引腳及第二引腳，其中第二引腳相鄰第一引腳。電壓量測(cè)單元耦接電壓產(chǎn)生單元。當(dāng)電壓產(chǎn)生單元提供脈沖電壓至第一引腳時(shí)，電壓量測(cè)單元經(jīng)取樣時(shí)間后量測(cè)第二引腳上的第一取樣電壓。而且，當(dāng)電壓產(chǎn)生單元提供脈沖電壓至第二引腳時(shí)，電壓量測(cè)單元經(jīng)取樣時(shí)間后量測(cè)第一引腳上的第二取樣電壓。處理單元耦接電壓量測(cè)單元。處理單元依據(jù)多條引腳上多個(gè)取樣電壓之統(tǒng)計(jì)值，分別調(diào)整第一取樣電壓及第二取樣電壓至以預(yù)定電壓為基準(zhǔn)的第一偵測(cè)電壓及第二偵測(cè)電壓。當(dāng)?shù)谝粋蓽y(cè)電壓或第二偵測(cè)電壓超出預(yù)定范圍時(shí)，處理單元?jiǎng)t判斷第一引腳與第二引腳之間存有微粒。

基于上述，本發(fā)明的微粒檢測(cè)方法及其裝置在不同時(shí)間下分別施加脈沖電壓于兩相鄰引腳，并且雙向量測(cè)兩引腳上電壓的變化速度，以確保兩引腳間所量測(cè)的電容性阻抗正確，以及提高微粒檢測(cè)的準(zhǔn)確性。另外，本發(fā)明的微粒檢測(cè)方法及其裝置更依據(jù)多條引腳上取樣電壓的統(tǒng)計(jì)值，調(diào)整取樣電壓為以預(yù)定電壓為基準(zhǔn)的偵測(cè)電壓。此偵測(cè)電壓為其對(duì)應(yīng)的取樣電壓與多條引腳上統(tǒng)計(jì)電壓之間的相對(duì)關(guān)系。藉此，依據(jù)偵測(cè)電壓與預(yù)定范圍的比較結(jié)果來(lái)判斷微粒是否存在的方式，可提高此微粒檢測(cè)方法及其裝置于檢測(cè)不同制程下芯片的通用性，以及降低微粒檢測(cè)失誤。

為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合所附圖式作詳細(xì)說(shuō)明如下。

附圖說(shuō)明

圖1為檢測(cè)芯片上微粒的示意圖。

圖2為另一檢測(cè)芯片上微粒的示意圖。

圖3本發(fā)明的一實(shí)施例的微粒檢測(cè)裝置的示意圖。

圖4A為本發(fā)明實(shí)施例圖3中脈沖電壓的曲線圖。

圖4B為本發(fā)明實(shí)施例圖3中引腳電壓變化的曲線圖。