[發明專利]一種寬頻高阻抗MnZn鐵氧體材料及其制造方法

有效

• 申請號: 200910133728.0
• 申請日: 2009-04-08
• 公開（公告）號: CN101857426A
• 公開（公告）日: 2010-10-13
• 發明（設計）人: 汪南東;黃愛萍;譚福清;豆小明;王家永;馮則坤
• 申請（專利權）人: 廣東江粉磁材股份有限公司;江門安磁電子有限公司
• 主分類號: C04B35/38
• 分類號: C04B35/38;C04B35/622
• 代理公司: 北京安信方達知識產權代理有限公司 11262
• 代理人: 楊淑媛;武晶晶

技術領域

本發明涉及一種MnZn鐵氧體材料及其制造方法，尤其涉及一種寬頻高阻抗MnZn鐵氧體材料及其制造方法。

背景技術

在電子信息時代，隨著衛星通信、移動通信、計算機應用等的高速發展，電磁干擾(EMI)對軍事和民用電子信息領域的影響越來越嚴重，對公共環境和人身安全以及信息保密造成了很大的危害。解決或降低電磁污染以及提高電子設備抗電磁干擾能力的有效辦法是采用電磁兼容設計，其中需要用到大量抗EMI材料。常用的抗EMI材料有MnZn鐵氧體和NiZn鐵氧體材料。由于電子設備的小型化、高頻化的發展，迫切希望在高頻也有高磁導率的材料，一般MnZn鐵氧體均采用過鐵配方，即富鐵MnZn鐵氧體，且又在還原氣氛中燒結冷卻，故尖晶石結構中有較多的Fe²⁺存在，Fe²⁺～Fe³⁺間的電子遷移使得電阻率急劇降低，很難適應3MHz以上頻率的使用。NiZn鐵氧體有多空性及高電阻率(通常可達10⁴Ω·m以上)，且在一定的配方與工藝條件下可以使材料避免疇壁位移弛豫與共振，適用于作高頻軟磁材料，但由于NiZn鐵氧體磁導率很難做的高，其低頻阻抗較低。

富鐵MnZn鐵氧體和NiZn鐵氧體材料在應用頻率上都有局限，而MnZn鐵氧體如果采用缺鐵配方，即主配方中Fe₂O₃摩爾百分含量不超過50％的貧鐵MnZn鐵氧體，就有可能抑制Fe²⁺的生成，從而提高電阻率，并且在3MHz以上頻率有高的磁導率，使得使用頻率得到很大提高。近來，對貧鐵MnZn鐵氧體的研究進展較慢，已經制造出來的這類材料也存在居里溫度較低的缺陷，因而實用價值低。因此需要一種具有寬頻高阻抗、高電阻率、居里溫度足夠高的可適用的貧鐵MnZn鐵氧體的抗EMI材料以及還需要制造這種材料的方法。

發明內容

本發明的一個目的是提供一種寬頻高阻抗MnZn鐵氧體材料，所述鐵氧體材料包括主成份和輔助成分，所述主成分為47mol％-50mol％的Fe₂O₃、以MnO計29mol％-35mol％的Mn₃O₄和16mol％-21mol％的ZnO；以及所述輔助成分選自SiO₂、CaCO₃、V₂O₅、Nb₂O₅中的至少一種，基于所述主成分的總重量，SiO₂為0.002wt％-0.01wt％、CaCO₃為0.01wt％-0.08wt％、V₂O₅為0.01wt％-0.07wt％、Nb₂O₅為0.01wt％-0.07wt％。

本發明的寬頻高阻抗MnZn鐵氧體材料中的輔助成分還可以選自SiO₂、CaCO₃、V₂O₅、Nb₂O₅中的至少兩種。

本發明提供的鐵氧體材料還摻雜Co₂O₃、SnO₂，基于所述主成分的總重量，摻雜的Co₂O₃為0.01wt％-0.5wt％、SnO₂為0.03wt％-0.5wt％。

本發明的鐵氧體材料具有大于10³Ω·m的直流電阻率、大于115℃的居里溫度和2000±20％的起始磁導率。