[發(fā)明專利]晶片搬送方法和搬送裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200910133233.8 | 申請(qǐng)日: | 2009-04-02 |
| 公開(公告)號(hào): | CN101552222A | 公開(公告)日: | 2009-10-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 現(xiàn)王園二郎 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 株式會(huì)社迪思科 |
| 主分類號(hào): | H01L21/677 | 分類號(hào): | H01L21/677;H01L21/683 |
| 代理公司: | 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人: | 陳 堅(jiān) |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 晶片 方法 裝置 | ||
1.一種晶片搬送方法,其通過保持墊保持直徑不同的晶片的被保持 面來進(jìn)行搬送,其中,上述保持墊的保持面具有圓形凹部和圍繞該圓形 凹部的第一環(huán)狀凹部和第二環(huán)狀凹部,該晶片搬送方法的特征在于,
該晶片搬送方法具備以下工序:
定位工序,在該定位工序中,將上述保持墊的上述保持面以與晶片 的上述被保持面隔開預(yù)定間隙地對(duì)置的方式定位在晶片的上述被保持面 的上側(cè);
水層形成工序,在該水層形成工序中,根據(jù)晶片的直徑,向上述保 持墊的上述圓形凹部和上述第一環(huán)狀凹部和第二環(huán)狀凹部中供給水,在 上述晶片的上述被保持面與上述保持墊的上述保持面之間的間隙中形成 水層;以及
搬送工序,在該搬送工序中,通過在上述水層形成工序中形成的上 述水層的表面張力將晶片的上述被保持面保持在上述保持墊的上述保持 面上,并搬送晶片。
2.一種晶片搬送裝置,其保持晶片的被保持面地進(jìn)行搬送,其特征 在于,
上述晶片搬送裝置包括:保持墊,其具有形成有圓形凹部和圍繞該 圓形凹部的第一環(huán)狀凹部和第二環(huán)狀凹部的保持面;保持墊移動(dòng)構(gòu)件, 其在載置有晶片的第一位置和搬送晶片的第二位置之間移動(dòng)上述保持 墊;和水供給構(gòu)件,其向上述保持墊的上述圓形凹部和上述第一環(huán)狀凹 部和第二環(huán)狀凹部供給水,
上述保持墊移動(dòng)構(gòu)件具有保持墊定位構(gòu)件,上述保持墊定位構(gòu)件將 上述保持墊移動(dòng)至載置于上述第一位置的晶片的上述被保持面的上側(cè), 并使晶片的上述被保持面與上述保持墊的上述保持面隔開預(yù)定間隙地對(duì) 置。
3.如權(quán)利要求2所述的晶片搬送裝置,其特征在于,
上述保持墊由親水性高的材料形成。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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