[發明專利]蝕刻液調合裝置及蝕刻液濃度測定裝置有效
| 申請號: | 200910133196.0 | 申請日: | 2009-04-15 |
| 公開(公告)號: | CN101567309A | 公開(公告)日: | 2009-10-28 |
| 發明(設計)人: | 中川俊元;佐藤壽邦 | 申請(專利權)人: | 株式會社平間理化研究所 |
| 主分類號: | H01L21/00 | 分類號: | H01L21/00;H01L21/66;C23F1/08 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 | 代理人: | 李貴亮 |
| 地址: | 日本國*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 蝕刻 調合 裝置 濃度 測定 | ||
1.一種蝕刻液調合裝置,其具備:調合鋁膜用蝕刻液的調合槽;與 所述調合槽連接的管路;向所述管路輸送所述蝕刻液或所述蝕刻液的調合 中使用的液體的泵,所述蝕刻液調合裝置通過所述管路與蝕刻裝置連接, 其特征在于,所述蝕刻液調合裝置具備:
硝酸濃度檢測及液體補給機構,其基于通過利用電導率計檢測用純水 稀釋所述調合槽內的蝕刻液而形成的稀釋液的電導率而得到的所述蝕刻 液的硝酸濃度、或通過利用吸光光度計檢測所述蝕刻液的吸光度而得到的 所述蝕刻液的硝酸濃度,向所述調合槽補給單一酸原液、混酸原液或純水 的至少一種;
水分濃度檢測及液體補給機構,其基于通過利用吸光光度計檢測所述 蝕刻液的吸光度而得到的所述蝕刻液的水分濃度,向所述調合槽補給單一 酸原液、混酸原液或純水的至少一種;
磷酸濃度檢測及液體補給機構,其基于通過利用吸光光度計檢測所述 蝕刻液的吸光度而得到的所述蝕刻液的磷酸濃度或通過利用密度計檢測 所述蝕刻液的密度而得到的所述蝕刻液的磷酸濃度,向所述調合槽補給單 一酸原液、混酸原液或純水的至少一種。
2.根據權利要求1所述的蝕刻液調合裝置,其中,
所述蝕刻液為含有磷酸和硝酸的水溶液。
3.根據權利要求2所述的蝕刻液調合裝置,其中,
所述蝕刻液是還含有有機酸、鹽酸、硫酸、高氯酸的至少一種的水溶 液。
4.根據權利要求3所述的蝕刻液調合裝置,其中,
所述有機酸為醋酸或丙二酸。
5.根據權利要求1~4中任一項所述的蝕刻液調合裝置,其中,
所述蝕刻液調合裝置采用連續調合方式。
6.一種蝕刻液調合裝置,其具備:調合鋁膜用蝕刻液的調合槽;與 所述調合槽連接的管路;向所述管路輸送所述蝕刻液或所述蝕刻液的調合 中使用的液體的泵,所述蝕刻液調合裝置通過所述管路與蝕刻裝置連接, 其特征在于,所述蝕刻液調合裝置具備:
檢測用純水稀釋所述調合槽內的蝕刻液而形成的稀釋液的電導率的 電導率計或檢測所述蝕刻液的硝酸濃度的吸光光度計;
檢測所述蝕刻液的水分濃度的吸光光度計;
檢測所述蝕刻液的磷酸濃度的吸光光度計或密度計;
成分濃度運算機構,其根據檢測硝酸濃度的所述電導率計的電導率值 或檢測硝酸濃度的所述吸光光度計的吸光度值、檢測水分濃度的所述吸光 光度計的吸光度值和檢測磷酸濃度的所述吸光光度計的吸光度值或檢測 磷酸濃度的所述密度計的密度值,利用多變量解析法來運算所述蝕刻液的 成分濃度;
液體補給機構,其向所述調合槽中補給單一酸原液、混酸原液及純水 的至少一種。
7.根據權利要求6所述的蝕刻液調合裝置,其中,
所述蝕刻液為含有磷酸和硝酸的水溶液。
8.根據權利要求7所述的蝕刻液調合裝置,其中,
所述蝕刻液是還含有有機酸、鹽酸、硫酸、高氯酸的至少一種的水溶 液。
9.根據權利要求8所述的蝕刻液調合裝置,其中,
所述有機酸為醋酸或丙二酸。
10.根據權利要求6~9中任一項所述的蝕刻液調合裝置,其中,
所述蝕刻液調合裝置采用連續調合方式。
11.一種蝕刻液濃度測定裝置,其特征在于,具備:
檢測用純水稀釋鋁膜用蝕刻液而形成的稀釋液的電導率的電導率計 或檢測所述蝕刻液的硝酸濃度的吸光光度計;
檢測所述蝕刻液的水分濃度的吸光光度計;
檢測所述蝕刻液的磷酸濃度的吸光光度計或密度計;
成分濃度運算機構,其根據檢測電導率的所述電導率計的電導率值或 檢測硝酸濃度的所述吸光光度計的吸光度值、檢測水分濃度的所述吸光光 度計的吸光度值和檢測磷酸濃度的所述吸光光度計的吸光度值或檢測磷 酸濃度的所述密度計的密度值,利用多變量解析法來運算所述蝕刻液的成 分濃度。
12.根據權利要求11所述的蝕刻液濃度測定裝置,其中,
檢測所述蝕刻液的硝酸濃度的吸光光度計為使用了紫外線區域的波 長的紫外吸光光度計。
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H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





