[發明專利]半導體裝置

無效

• 申請號: 200910132972.5
• 申請日: 2009-04-03
• 公開（公告）號: CN101552259A
• 公開（公告）日: 2009-10-07
• 發明（設計）人: 津田浩嗣
• 申請（專利權）人: 恩益禧電子股份有限公司
• 主分類號: H01L23/525
• 分類號: H01L23/525;H01L23/528
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 孫志湧;穆德駿

本申請基于日本專利申請No.2008-096918，其內容通過引用結合 于此。

技術領域

本發明涉及一種提供有電熔絲的半導體裝置。

背景技術

已知傳統的半導體裝置，在所述傳統的半導體裝置中安裝熔絲使 得能夠進行處理，例如可以切斷熔絲來調節電阻值或分離缺陷元件， 因而，所述缺陷元件用正常元件來代替。

為了提供可以進行這種處理的高可靠的半導體裝置，需要無誤切 斷該熔絲。因此，提出了在日本特開專利公布2005-57186中公開的 熔絲。

如圖5所示，日本特開專利公布2005-57186公開了一種具有電 流流入端902、電流流出端901、一對熔斷通孔部903和904以及電極 襯墊905的熔絲。

當電流流過電流流入端902和電流流出端901之間的熔絲時，該 對熔斷通孔部903和904中的任一個被熔斷。

因而，提供一對熔斷通孔部903和904，使得在形成電流流過時 會熔斷的兩個區域，使得可以無誤地切斷熔絲，并且考慮半導體裝置 的可靠性高。

這里，在圖5中，標記906指示半導體基板，并且907和908指 示層間絕緣膜。

本發明人認識到如下事實。在日本特開專利公布2005-57186中 描述的技術仍然具有下面的問題。

當電流在電流流入端902和電流流出端901之間流動時，電子以 相對于通孔的上下方向而不同的方向流入該對熔斷通孔部903和904 中。因而，在電子流入方向不同的情況下，切斷狀態在熔斷通孔部903 和904之間是不同的，并且因此，在熔絲切斷之后電阻值可能會不一 致。

在熔斷通孔部903或904通過電遷移被切斷的情況下，例如，如 圖6A所示，當一個熔斷通孔部904被切斷時，在電極襯墊905附近的 熔斷通孔部904中形成一個空隙B。空隙B被形成為使得形成電極襯 墊905的導體不能向熔斷通孔部904移動，因為電極襯墊905被阻擋 金屬(未示出)覆蓋，并且由此電極襯墊905本身不會被切斷，并且 形成熔斷通孔部904的導體被推動。

在另一個熔斷通孔部903被切斷的情況下，如圖6B所示，在熔斷 通孔部903附近的電極襯墊905中形成空隙B。

由此，切斷狀態在熔斷通孔部903和904之間可以是不同的，并 且另外，切斷的容易度不同，并且因此，在熔絲切斷之后可能會存在 電阻值不一致。

這里，不僅在通孔通過電遷移被熔斷的情況下，而且在根據所謂 的“裂縫輔助法”切斷通孔的情況下，存在由于在電流流動方向上的差異 導致的熔絲被切斷后電阻值的不一致。

發明內容

在一個實施例中，提供一種半導體裝置，具有：基板；以及在基 板上提供的第一電熔絲和第二電熔絲，其中第一電熔絲具有：在不同 布線層中形成的第一上層布線和第一下層布線；以及用于連接第一上 層布線和第一下層布線的通孔，第二電熔絲具有：在不同布線層中形 成的第二上層布線和第二下層布線；以及用于連接第二上層布線和第 二下層布線的通孔，半導體裝置包括用于將第一電熔絲的第一上層布 線連接到第二電熔絲的第二下層布線的連接部，以及第一電熔絲和第 二電熔絲經由連接部串聯連接。

這里，用于將第一電熔絲連接到第二電熔絲的連接部是不用作熔 絲的部分，并且因而，在熔絲被切斷時其不被切斷。

根據本發明，連接部串聯連接第一電熔絲和第二電熔絲，并且因 此，電子流過第一電熔絲和第二電熔絲的方向可以是相同的。

如上所述，在電子以不同的方向流過第一電熔絲和第二電熔絲的 情況下，切斷狀態可以由于電子在第一電熔絲和第二電熔絲之間流動 的影響而不同，由此存在熔絲被切斷之后電阻值的不一致。

相反，根據本發明，電子流過第一電熔絲和第二電熔絲的方向是 相同的，并且因此切斷狀態在第一電熔絲和第二電熔絲之間是相同的， 并且在第一電熔絲和第二電熔絲之間切斷的容易度也可以近似相同。

結果，在第一電熔絲被切斷的狀態和第二電熔絲被切斷的狀態之 間可以防止電阻值的不一致。結果，可以提供高可靠性的半導體裝置。

根據本發明，第一電熔絲和第二電熔絲中可以僅一個被切斷，或 者第一電熔絲和第二電熔絲這兩者都被切斷。因而，提供兩個電熔絲， 使得這兩者中的至少一個能夠被切斷，并因而提高了該半導體裝置的 可靠性。